Doktorarbeit_Mairoser.pdf - OPUS - Universität Augsburg

C. Wachstum von Kupfer auf Silizium-Substraten
10 5
Si(111)
Cu(111)
Si(222)
10 4
10 3
100
10
1
10 6 20 30 40 50 60 70 80 90
THM_N_11
Cu(222)
Si(333)
Intensität (a. u.)
(a)
2θ (°)
Normierte Intensität (a. u.)
1
0.8
0.6
0.4
0.2
Si(220)
Cu(200)
THM_N_11
Substrat: Si(111)
0
0 50 100 150 200 250 300 350
ϕ (°)
(b)
Abbildung C.3.: (a) θ-2θ-Scan eines gesputterten Cu-Films auf Si(111). Da neben den Substrat-Peaks
nur ein Cu(111)-Peak zu erkennen ist, deutet dies auf phasenreines
(111)-orientiertes Cu hin. Der Cu(222)-Peak wird durch den Substrat-Peak
überdeckt. In den in (b) gezeigten ϕ-Scans sind drei Gruppen
von Peaks zu erkennen, die jeweils um 120 ◦ zueinander verschoben sind.
Für ein epitaktisches Wachstum dürften aber pro Gruppe je nur ein Peak
auftreten. Tatsächlich treten je zwei etwa gleich intensive Peaks auf, die
um etwa 20 ◦ zueinander verschoben sind. Weiterhin zeigen sich zwischen
den drei Doppelpeaks auch weitere weniger intensive Peaks, die auf zusätzliche
vorhandene Orientierungen hindeuten. Die Wachstumsparameter
waren: Cu-Target, Raumtemperatur, z = −23 mm, Ar-Fluss 2,0 SCCM,
p = 0,01 mbar, P DC = 20 W, t D = 2 min.
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