Doktorarbeit_Mairoser.pdf - OPUS - Universität Augsburg

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4. Sputtersystem zur in situ Neutronen-Reflektometrie Pressure Controller Temperaturanzeige Pyrometer Aus-/Einschalter Notaus Heizer-Netzteil DC-Netzteil rf-Netzteil Druckanzeigen Turbomolekularpumpencontroller USB-zu-RS232-Konverter QCM Gasfluss-Monitore Relais-Schaltelemente Kontrollanzeigen Kabelhalterung Abbildung 4.5.: Fotografie des Elektronik-Racks. Es beinhaltet folgende Komponenten: das Bedienfeld des Pressure Controllers, die Druckanzeigen für beide Druckmessröhren, die Temperaturanzeige für ein Pyrometer, die Steuerelektronik der Turbomolekularpumpe, einen 16fach USB-zu-RS232-Konverter, das Anzeigegerät für einen Quarzschichtdickensensor, zwei Gasfluss-Monitore, ein Netzteil für den Betrieb des Heizers, Schalter und Anzeigen für die verwendeten Relais und je ein DC- und rf-Netzteil. Mithilfe von Schaltern lässt sich das System ein- und ausschalten. Weiterhin ist ein Not-Aus installiert. Seitlich sind Kabelaufrollvorrichtungen angebracht. 56
4.2. Ansteuerung des Sputtersystems • Schalter und Anzeigen für folgende Instrumente: Direktes Einlassen von Sauerstoff bzw. Stickstoff in die Vakuumkammer, Aktivierung des Gasflusses für die Gasflussmonitore für Sauerstoff bzw. Argon, Schalten des Bypass-Ventils und Betätigung des Shutters. Geschaltet wird über eine PCI-Relais-Karte (Kolter Electronic [122]). Über einen Wahlschalter kann entweder direkt mit den vorhandenen Schaltern oder per Software geschaltet werden. • DC-Netzteil HUETTINGER TruePlasma DC3001 [123] für das DC-Sputtern. • rf-Generator HUETTINGER PFG 600 RF [123] für das rf-Sputtern. Das Ausgangssignal wird zum Anpassungsnetzwerk (Match Box) PFM 1500 A [123] geleitet, das aufgrund einer möglichst kurzen Kabellänge zur Sputterquelle direkt an der Vakuumkammer montiert ist (Abbildung 4.4). • Zwischen den beiden oben genannten Netzteilen befinden sich Kontrollanzeigen, die die Freigabe des Sputtersystems zu Messungen bzw. die Freigabe von REFSANS zu Arbeiten an der Kammer anzeigen. 4.2. Ansteuerung des Sputtersystems Da während einer Messung aufgrund der Strahlenbelastung kein Zutritt zur Experimentierkammer an REFSANS gegeben ist, muss die gesamte Anlage ferngesteuert werden. Dies kann zum einen (teilweise) über das Elektronikrack getätigt werden. Dieses befindet sich außerhalb der Experimentierkammer der Beamline, was durch entsprechend lange Kabel (≈ 10 m) möglich ist. Zum anderen kann das komplette System mittels eines Computers angesteuert werden. Im Rahmen meiner <strong>Doktorarbeit</strong> wurde dazu eine Software über das grafische Programmiersystem LabView von National Instruments [124] entwickelt. Abbildung 4.6 zeigt die Benutzeroberfläche der aktuellen Version der Software, in die bereits Funktionen der zweiten Ausbaustufe integriert sind (Kapitel 5.3). Von der Benutzeroberfläche aus sind die Anzeigen für die Rotationsfrequenz der Turbomolekularpumpe, der Druck, die Temperatur der Probe, die Position des Plattenventils, die x-, z- und θ- Positionen des Heizers, die aktuell installierten Targets, die Position der DN300CF- Drehdurchführung und die aktuellen Schaltzustände der Ventile ablesbar. Weiterhin können letztere direkt betätigt, die Pumpen ein- und ausschaltet, der Arbeitsmodus des Plattenventils und die entsprechenden Sollwerte eingestellt und die Gasflussregler bedient werden. Die Anzeigen werden durch das Auslesen der entsprechenden Geräte fortwährend aktualisiert. Weiterhin können Unterprogramme gestartet werden, die zusätzliche Funktionen bereitstellen. Dies sind: • Einstellen des Winkels θ des Probenheizers. • Einstellung der x- bzw. der z-Position des Probenheizers. 57
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In situ Neutronen-Reflektometrie un
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Für Jeanette, Michael und Benjamin
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7.5. Wachstum und Strukturierung vo
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8. Anwendung von biaxialem Stress I
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8.2. Einfluss unterschiedlicher Git
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9. Untersuchung des Dotierverhalten
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9.2. Dotierverhalten La-dotierter E
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9.3. Vergleich der La-, Gd- bzw. Lu
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10. Wachstum epitaktischer EuO-Film
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10.3. Eigenschaften der gesputterte
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10.4. Thermodynamische Betrachtung
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10.5. Schichtdicken- und Temperatur
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10.6. Ausweitung auf andere Substra
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10.7. Optimierte Titan-Schichtdicke
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10.8. Oxidation des Ti-Films Intens
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10.10. Herstellung Gd-dotierter Fil
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Teil IV. Zusammenfassung und Ausbli
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11. Zusammenfassung dung gebundener
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12. Ausblick vorliegen. Zum anderen
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12. Ausblick reicher Kandidat. Wom
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A.2. Weitere Methoden zur Untersuch
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C. Wachstum von Kupfer auf Silizium
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Dotant 10 G 100 G 1000 G undotiert
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F. Eisen-dotierte EuO-Filme Da das
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würde die Eu 2+ -Fehlstelle die vo
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G. Berechnung thermodynamischer Pot
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Die Curie-Temperatur des gezeigten
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Publikationen A T. Mairoser, A. Sch
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. . . Julia Mundy, Paul Cueva, and
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