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Masterarbeit - Physikzentrum der RWTH Aachen

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2.6. Elektronik<br />

Nyquist-Kriterium<br />

A priori lässt sich die Stabilität eines Reglers mit Hilfe des Nyquist-Kriteriums<br />

beurteilen, wie es etwa in [40] beschrieben wird. Es basiert darauf, dass 2.37 endlich<br />

sein und daher G 0 (iω) ≡ A v A fb ≠ −1 sein muss. Eine vereinfachte Form des<br />

Kriteriums, wie sie auf die meisten physikalisch realisierbaren und gebräuchlichen<br />

Regler zutrifft ist die sogenannte Linke-Hand-Regel:<br />

Der offene Regelkreis habe nur Pole in <strong>der</strong> linken s-Halbebene, außer<br />

einem 1- o<strong>der</strong> 2-fachen Pol bei s = 0 (P-, I- o<strong>der</strong> I 2 - Verhalten). In diesem<br />

Fall ist <strong>der</strong> geschlossene Regelkreis genau dann asymptotisch stabil, wenn<br />

<strong>der</strong> kritische Punkt (−1 + 0i) in Richtung wachsen<strong>der</strong> ω-Werte gesehen<br />

links <strong>der</strong> Ortskurve von G 0 (iω) liegt. [40]<br />

Vereinfacht bedeutet dies, dass <strong>der</strong> kritische Punkt (−1,0i) beim Nachfahren <strong>der</strong><br />

Kurve in Richtung höhere Frequenzen im Nyquist-Diagramm immer links passiert<br />

werden muss, um ein stabiles System zu erhalten. Es lassen sich nun zwei Größen<br />

definieren, die zur praktischen Beurteilung <strong>der</strong> Stabilität eines Reglers nützlich sind.<br />

Die Amplitudenreserve A R gibt an, wie stark <strong>der</strong> Betrag <strong>der</strong> Übertragungsfunktion<br />

noch vergrößert werden darf, bis aus einem stabilen System ein instabiles wird. Die<br />

Phasenreserve φ R gibt an, wie weit sich die Phase verschieben darf, bis das System<br />

instabil wird. Eine praxisnahe Darstellung dieses Themas findet sich in [14].<br />

2.6.5. Elektronisches Rauschen<br />

Jedes elektronische Bauelement erzeugt Fluktuationen im Strom o<strong>der</strong> <strong>der</strong> Spannung<br />

eines Signals, die man als elektronisches Rauschen bezeichnet. Alle Frequenzen tragen<br />

hier unabhängig zur Leistung des Gesamt-Rauschens P n bei, daher gilt<br />

P n =<br />

Mit P = U · I und U = R · I folgt daraus<br />

∫ dP<br />

df. (2.38)<br />

df<br />

dP n<br />

df<br />

= dU n<br />

d √ f · dI n<br />

d √ f = e n · i n (2.39)<br />

mit den spektralen Spannungs- und Stromrauschdichten e n = dU n /d √ f und i n =<br />

dI n /d √ f.<br />

Thermisches Rauschen<br />

Thermisches Rauschen, auch Johnson-Rauschen genannt, tritt durch Fluktuationen<br />

<strong>der</strong> Ladungsträgergeschwindigkeit in Wi<strong>der</strong>ständen auf die spektrale Rauschleistung<br />

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