Masterarbeit - Physikzentrum der RWTH Aachen
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7.4. Messung mit einer 241 Am-Quelle<br />
systematisch durchgeführt, allersings existieren für einzelne Platinen Messungen. Es<br />
werden keine Daten digital aufgezeichnet, son<strong>der</strong>n nur Messungen am Oszilloskop<br />
notiert. Die Testplatine ist auf Abb. 7.1 zu sehen.<br />
Abbildung 7.1.: Testplatine an PIN-Dioden-Verstärker.<br />
7.4. Messung mit einer 241 Am-Quelle<br />
7.4.1. Ableitbare Größen<br />
Ladungsverstärkung<br />
Die zweite zur Messung <strong>der</strong> Ladungsverstärkung Methode besteht darin, mittels einer<br />
241 Am-Quelle Röntgenquanten von 59,5 keV in direkt in die Verarmungszone <strong>der</strong><br />
Diode zu bringen. Die werden zum Großteil per Photoeffekt absorbiert und deponieren<br />
dabei ihre gesamte Energie im Halbleitermaterial. Mit Hilfe <strong>der</strong> Ionisationsenergie<br />
von 3,6 eV lässt sich daraus bequem die applizierte Ladung errechnen. Damit wird<br />
nun analog zu ersten Methode verfahren.<br />
Rauschen <strong>der</strong> Verstärker<br />
Das Rauschen <strong>der</strong> Eingänge Q 2 n 5 wird in Einheiten <strong>der</strong> Ladung auf den Dioden eines<br />
Verstärkers angegeben. Bei bekannter Ladungsverstärkung A Q kann es leicht aus<br />
<strong>der</strong> Fluktuation eines Verstärkerausgangs berechnet werden. Es bietet sich an, dies<br />
während <strong>der</strong> Messung mit 241 Am zu tun, da hier bereits das Pedestal gemessen<br />
werden muss. Aus <strong>der</strong> Breite des Pedestals σ a und <strong>der</strong> Ladungsverstärkung erhält<br />
man<br />
Q n = σ a<br />
A Q<br />
.<br />
5 engl. equivalent noise charge, Ladungsäquivalent des Rauschens<br />
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