Strom aus Licht - Institut für naturwissenschaftliche Grundlagen
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Kapitel 4: Solarzellen 36<br />
4.2 Funktionsweise von Solarzellen<br />
Im vorangegangenen Abschnitt haben Sie gelernt, dass eine Solarzelle prinzipiell nichts<br />
anderes als eine Halbleiterdiode ist. Im Kapitel 3 haben Sie die Dioden jedoch bloss als <strong>Strom</strong>ventile<br />
und Verbraucher angetroffen. Es geht also darum, zu verstehen, wie durch die Umkehrung<br />
der Prozesse <strong>aus</strong> einem Verbraucher eine <strong>Strom</strong>- oder Spannungsquelle wird.<br />
Im Zentrum stehen die Ihnen <strong>aus</strong> den Kapiteln 2 und 3 bekannten Wechselwirkungen<br />
zwischen einem Photon und einem der vier Valenzelektronen des Halbleiters:<br />
• Innerer Photoeffekt: <strong>Licht</strong>energie wird zugeführt. Das Photon setzt ein Elektron-Loch-Paar im<br />
Halbleiter frei.<br />
• Leuchtdiode: Elektrische Energie wird zugeführt, sie erzeugt ein Elektron-Loch-Paar. Dieses<br />
rekombiniert im Halbleiter und setzt ein Photon frei.<br />
Es handelt sich offensichtlich um ein und denselben Prozess, der vorwärts oder rückwärts<br />
durchlaufen wird! Effektiv kann man einer Leuchtdiode <strong>Licht</strong> zuführen und elektrische Energie<br />
in winzigen Mengen her<strong>aus</strong>holen. Man spricht dann von einer Photodiode. Für die Photovoltaik<br />
muss "bloss" noch die Oberfläche vergrössert werden. In der Figur 4.2 ist der bekannt p-n-<br />
Übergang mit dem darin ablaufenden inneren Photeffekt nochmals schematisch dargestellt:<br />
Photonen<br />
Elektron-Loch-<br />
Paare<br />
Legende<br />
- +<br />
p-Halbleiter<br />
n-Halbleiter<br />
freie Elektronen<br />
freie Löcher<br />
elektrisches Feld<br />
Verschiebung ...<br />
... der Löcher<br />
... der Elektronen<br />
Plus-Pol<br />
- +<br />
Minus-Pol<br />
p-Halbleiter<br />
- +<br />
n-Halbleiter<br />
Verarmungszone<br />
Figur 4.2: Schematisierter p-n-Übergang mit innerem Photoeffekt<br />
Das <strong>Licht</strong> erzeugt in der Verarmungszone des p-n-Übergangs ein Elektron-Loch-Paar. Die<br />
beiden beweglichen Ladungen werden vom inneren Feld getrennt: Ein Elektronen-Überschuss<br />
entsteht so im n-Halbleiter; er wird zum Minus-Pol. Ein Löcher-Überschuss, also ein Elektronenmangel,<br />
entsteht im p-Halbleiter; dieser wird zum Plus-Pol der neuen <strong>Strom</strong>quelle.<br />
Der innere Photoeffekt kann bekanntlich nur durch Photonen <strong>aus</strong>gelöst werden, die genügend<br />
Energie hf besitzen. Das bedeutet, dass das <strong>Licht</strong> eine genügend hohe Frequenz, respektive eine<br />
genügend kurze Wellenlänge haben muss. Für Silizium ist die Energie etwa E = 10 -19 J. Die<br />
maximale Wellenlänge beträgt demnach rund 1 µm. Silizium kann also schon IR-<strong>Licht</strong> <strong>aus</strong>nutzen.<br />
Die Sonne strahlt jedoch am meisten grünes <strong>Licht</strong> <strong>aus</strong>. Beim inneren Photoeffekt wird<br />
nicht die ganze Energie des Photons benötigt; <strong>aus</strong> dem Rest entsteht Wärme. Dies ist ein unumgänglicher<br />
Verlust.<br />
ETH-Leitprogramm Physik<br />
<strong>Strom</strong> <strong>aus</strong> <strong>Licht</strong>