Bildgebung mit DEPFET - Prof. Dr. Norbert Wermes - Universität Bonn

ealisiert werden, der ein vollständiges Löschen der Pixel erlaubt. Zudem müssen die Pixeleine Größe von < 30µm aufweisen und die Spannungsabfälle in einer DEPFET-Matrixmüssen durch die Einführung einer zweiten Metallage im Fertigungsprozeß reduziert werden.Momentan werden am MPI Halbleiterlabor in München DEPFET-Teststrukturenfür den Einsatz bei TESLA hergestellt [Ric03]. Die wesentliche Anforderung an die Ausleseelektronikist eine präzise Strommessung mit einer hohen Geschwindigkeit (50 MHzZeilentakt) und gleichzeitiger Strahlenhärte. Ein erster Testchip für den Einsatz bei TES-LA wurde bereits an der Universität Bonn entwickelt [Tri03].Für das Experiment XEUS in der Röntgenastronomie liegt der wesentliche Vorteil vonDEPFET-Detektoren gegenüber den alternativ einsetzbaren sog. pn-CCDs in der schnellerenund flexibleren Auslese. Zum einen ist das Verhältnis von Integrations- zu Auslesezeitum bis zu einen Faktor 100 höher [Hol99], zum anderen wird das Problem von sog.”Geistertreffern” vermieden, die im Falle von CCDs durch das Verschieben der Signalladungenund der dadurch möglichen falschen Zuordnung von Trefferereignissen entstehen.Zudem können einzelne Matrixbereiche mit hohen Trefferraten häufiger ausgelesen werdenals der Rest der Matrix und es besteht die Möglichkeit einer mehrfachen Auslesevon DEPFET-Pixeln, durch welche das Rauschen theoretisch auf ENC = 1e − reduziertwerden kann [Kle00]. Die Anforderungen an die Pixelgröße sind bei diesem Experimentgeringer (Pixelbreite ≈ 75µm) als bei TESLA, allerdings muß hier besonderer Wert aufdie Produktion extrem rauscharmer Transistorstrukturen (insbesondere 1/f-Rauschen)gelegt werden. Genau wie in der Teilchenphysik ist hier ein vollständiges Löschen derDetektoren erforderlich. Zur Zeit werden am MPI Halbleiterlabor in München DEPFET-Teststrukturen für den Einsatz bei XEUS produziert.131