Bildgebung mit DEPFET - Prof. Dr. Norbert Wermes - Universität Bonn

28 KAPITEL 2. DER DEPFET-DETEKTOR !" #$!% & & #' Abbildung 2.5: Funktionsprinzip des Punch-Through Effektessistors, wie in Abbildung 2.4 dargestellt. Hierdurch entsteht ein sog. Punch-Through,d.h. das Potenzial des n-dotierten Gatekontaktes greift durch den p-Kanal auf das n-dotierte interne Gate durch, so dass die Elektronen aus dem internen Gate in den externenGatekontakt abfließen. In Abbildung 2.5 ist das Funktionsprinzip eines solchen Punch-Through-Effektes bei einer npn-dotierten Halbleiterstruktur gezeigt, dessen p-Schicht aufkeinem festen Potenzial liegt: Ohne Anlegen einer äußeren Spannung bilden sich an denpn-Übergängen Raumladungszonen aus, wie in Kapitel 1.2.2 beschrieben wird. Wird an