Bildgebung mit DEPFET - Prof. Dr. Norbert Wermes - Universität Bonn

4.5. VERHALTEN BEI EINSCHALTEN EINER MATRIXZEILE 75Änderung des Pedestalstromes nach Einschalten einer Matrixzeile20Stromänderung [µA]-2-4-6-8-10-12-140 200 400 600 800 1000 1200Zeit nach Einschalten [µs]Abbildung 4.12: Verhalten des Ruhestromes nach Einschalten einer MatrixzeileEs ist prinzipiell allerdings unmöglich, das interne Gate durch Löschen über das Gatevollständig von allen dort vorhandenen freien Ladungsträgern zu befreien - dies wirddurch das negative Potenzial des Kanals und die dadurch entstehende Potenzialbarrierefür Elektronen verhindert. Für die nächste Generation von DEPFET-Sensoren sind Pixelgeplant, die ein vollständiges Löschen ermöglichen. Da das interne Gate nach demLöschen vollständig geleert ist, ist der Pedestalstrom der Transistoren nach dem Löschendann unabhängig von der Zeit. Der Pedestalstrom muß daher nicht während der Integrationszeitgespeichert werden und kann unmittelbar nach Aufnahme des Signalstromesgemessen und mit diesem verglichen werden, was zu einer Reduktion der Datenmengeund daher zu einer wesentlichen Vereinfachung der Ausleseelektronik führt. Dies hätteauch für das Rauschverhalten des Detektors Vorteile (s. Kapitel 4.3).4.5 Verhalten bei Einschalten einer MatrixzeileEin Effekt, dessen Ursprung noch nicht vollständig verstanden ist, ist das Verhaltender Transistorsättigungsströme der Pixel in der Matrix beim Einschalten der jeweiligenZeile. In Abbildung 4.12 ist dieser Effekt bei einer Gate-Source-Spannung von V GS = 0Vdargestellt. Wie zu sehen ist, nimmt der Ruhestrom in einer Zeit von 1ms um mehrals ∆I D = 12µA ab, wobei er sich einem Grenzwert nähert. Zum besseren Verständnisdieses Effektes wurden verschiedene Messreihen durchgeführt, deren Ergebnisse hier kurzzusammengefaßt werden sollen:• der Effekt ist nicht auf den Schaltvorgang an sich, d.h. auf das Einschalten derTransistorgates und eine mögliche dadurch erfolgende Injektion von Ladungen ins