Bildgebung mit DEPFET - Prof. Dr. Norbert Wermes - Universität Bonn

4.6. ZUSAMMENFASSUNG 77Leitfähigkeit für die Kanalimplantation von ∂σ/∂T = 0.15%/K angenommen 3 , müßtesich die Temperatur bei einem Ruhestrom von I D = 300µA lokal in der eingeschaltetenZeile gegenüber ihrer Umgebung um 30 ◦ C erhöhen.Die Ursache des Effektes ist daher bisher noch unverstanden.4.6 ZusammenfassungDas DEPFET Pixel Bioscope konnte erfolgreich mit dem Stromverstärkerchip CARLOS2.0 und einem zeilenweisen Löschmechanismus betrieben werden. Durch CARLOS 2.0 wares erstmals möglich, alle Pixel einer 64 × 64-DEPFET-Matrix zeitgleich bei einer Gate-Source-Spannung von V GS = 0 im Arbeitsbereich der Ausleseelektronik zu betreiben.Durch Verwendung einer korrelierten Doppelmessung und einer Common-Mode-Korrekturkonnte das Systemrauschen des DEPFET Pixel Bioscopes auf ENC Differenzbild = (114 ±6)e − reduziert werden. Der wesentliche Rauschanteil ist hierbei das Leckstromrauschen,welches im Prinzip durch Kühlung reduziert werden kann. Die Energieauflösung des Systemesbei Strahlung mit einer Energie von 22.1 keV wurde zu ∆E FWHM = (930±50) eVbestimmt.Um eine kleine Totzeit des DEPFET Pixel Bioscopes zu gewährleisten, wurden verschiedeneLöschmechanismen untersucht, mit welchen ein zeilenweises Löschen möglich ist.Während das Löschen über den separaten Löschkontakt nicht die gewünschten Resultateliefert, verläuft das Löschen über das externe Gate der Transistoren erfolgreich, so dassein zeilenweiser Betrieb der DEPFET-Matrix möglich ist.Obgleich die Betriebseigenschaften von DEPFET-Detektoren durch die in dieser Arbeitdurchgeführten Untersuchungen sehr gut verstanden werden konnten, gibt es offene Fragen,welche in Zukunft weiter untersucht werden müssen. Ein Effekt, dessen Ursprungnoch nicht geklärt ist, ist das Verhalten des Ruhestromes bei Einschalten einer Matrixzeile,welcher sich erst auf einer Zeitkonstanten im ms-Bereich seinem Sättigungswertnähert. Ebenfalls noch unverstanden ist die Diskrepanz zwischen Messungen derDEPFET-internen Verstärkung an isolierten Einzelpixeln von g q = 197 ± 81 pA/e − undan Pixeln in einer Matrixanordnung von g q = 161 ± 8 pA/e − . Klärung bedarf auch dasVerhalten des Rauschens von Einzelpixeln bei niedrigen Temperaturen und kleinen Shapingzeiten,welches in [Adl01] näher beschrieben wird.3 in Ermangelung eines gemessenen Wertes für die DEPFET-Produktion wurde der Wert des AMS0.8µm-Prozesses verwendet [AMS99]