Bildgebung mit DEPFET - Prof. Dr. Norbert Wermes - Universität Bonn

1.4. DER JFET 21Abbildung 1.7: Einfluss der Drain-Source-Spannung auf den Kanal eines p-Kanal-JFET.Wird die Drain-Source-Spannung wesentlich größer, führt dies schließlich zu einem Durchbruchder Gate-Kanal-Diode, was eine starke Zunahme des Drainstromes zur Folge hat.Die Drainspannung, bei der dies auftritt, wird als ”Breakdown Voltage” V BD bezeichnet.Wird nun eine positive Gate-Source-Spannung angelegt, so bewirkt dies ein Anwachsender Verarmungszone der Gate-Kanaldiode und eine Verkleinerung des Kanalquerschnitts.Dies führt zum Einen dazu, dass sowohl die Steigung der Ausgangskennlinieim linearen Bereich als auch der Sättigungsstrom kleiner werden. Zum Anderen verschiebensich Sättigungsspannung VDSSAT und Durchbruchspannung V BD zu niedrigerenDrain-Source-Spannungen. Nimmt die Gate-Source-Spannung schließlich den Wert derPinch-Off-Spannung V PO an, so ist im Idealfall der gesamte Kanal verarmt und es fließtkein Strom mehr.