Bildgebung mit DEPFET - Prof. Dr. Norbert Wermes - Universität Bonn

36 KAPITEL 2. DER DEPFET-DETEKTORAbbildung 2.11: Prinzip der Ladungsteilung zwischen dem Pixel und seiner Umgebung.800700600500T = 327 KT = 316 KT = 305 KT = 294 KT = 282 KENC 240030020010000 200 400 600 800 1000 1200Shapingzeit [µs]Abbildung 2.12: Gemessene Abhängigkeit des Einzelpixelrauschens von der Shapingzeit[Adl01].Unseres Wissens nach handelt es sich hierbei um das niedrigste Rauschen, welches bisherbei Raumtemperatur mit Halbleitersensoren gemessen wurde.Aus der Halbwertsbreite der K α -Linie in Abbildung 2.10 lässt sich die Energieauflösungvon ∆E FWHM = 134 ± 2 eV für Strahlung mit einer Energie von E = 5.895 keV bestimmen.Dies entspricht einer äquivalenten Rauschladungsmenge von σ ENC = 15.6 ± 0.2e − ,womit sich ein Signal-zu-Rausch-Verhältnis von SNR = 106 : 1 ergibt. Die Energieauflösungist hierbei nicht begrenzt durch das elektronische Rauschen des Sensors, sonderndurch den Fanobeitrag (s. Kapitel 1.1.3) von σENC Fano = 14.2 ± 0.1e − . Die Summevon Fanobeitrag und DEPFET-Rauschen beträgt σ = 15.2 ± 0.2e − , was gut mit der gemessenenEnergieauflösung übereinstimmt. Eine kleine systematische Differenz zwischengemessenem und erwartetem Wert ist darauf zurückzuführen, dass die Linien durch Split-Events zusätzlich leicht verbreitert sind.