Bildgebung mit DEPFET - Prof. Dr. Norbert Wermes - Universität Bonn

3.1. LAYOUT VON DEPFET-MATRIZEN 41Abbildung 3.1: Ausschnitt einer 64×64-DEPFET Matrix mit hexagonaler Pixelgeometrie;• hexagonale Bildzellen mit einer Pixelgröße von 50 × 42µm 2Das Foto eines Ausschnittes einer 64 × 64-Matrix mit hexagonaler Pixelgeometrie ist inAbbildung 3.1 dargestellt. Im Zentrum eines jeden Pixels befindet sich die Source, welchevon einer ringförmigen Gateimplantation umgeben ist. Der gesamte Bereich außerhalbdieses Gateringes stellt die Drainregion des Pixels dar. Ober- und unterhalb des Pixelsbefinden sich innerhalb der Drainimplantation zwei Löschkontakte.In der Abbildung lässt sich erkennen, dass die Source-, Gate- und Löschkontakte der Pixelzeilenweise über Aluminiumleiterbahnen miteinander verbunden sind. Die Gates derTransistoren lassen sich auf der rechten Seite und die Löschkontakte auf der linken Seiteder Matrix mit Wirebonds kontaktieren. Die Sources aller Matrixzeilen werden außerhalbder Matrix miteinander verbunden, so dass das Sourcepotenzial aller Pixel in der Matrixgleich ist. Die Drains der Transistoren sind spaltenweise über eine p-Implantation miteinanderverbunden und können am unteren Ende der Matrix kontaktiert werden. Diep-Implantation hat einen höheren Widerstand als Aluminium und führt daher zu höherenSpannungsabfällen. Der verwendete Fertigungsprozess erlaubte aber nur die Verwendungeiner Aluminiumlage. Um die Spannungsabfälle zu reduzieren, wurden das obere und untereEnde der Drainspalten zusätzlich über Aluminiumbahnen miteinander verbunden.Die Sensorrückseite besteht aus einer flachen p+-Implantation und einer dünnen Passivierungslage,was zu einem dünnen Eintrittsfenster für Strahlung von nur ≈ 150 nm