Oberflächenmodifizierung von Polymethylmethacrylat durch ...
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Kapitel 4: Ergebnisse und Diskussion 85<br />
Absorbanz [a. u.]<br />
0,08<br />
0,06<br />
0,04<br />
0,02<br />
0<br />
3100<br />
3050<br />
CH3<br />
3000<br />
CH2<br />
2950<br />
Wellenzahl [cm -1 ]<br />
2900<br />
unbehandeltes PMMA<br />
nach 100 s<br />
nach 200 s<br />
nach 300 s<br />
Abb. 65: Ausschnitt aus FTIR-Spektren in Transmission <strong>von</strong> PMMA auf Silizium. Gezeigt werden die<br />
Änderungen in der Absorbanzhöhe bzw. der Fläche unter den CH 2/CH 3-Peaks in Abhängigkeit<br />
<strong>von</strong> der Plasmabehandlungszeit (14 sccm Ar, 30 sccm O 2, 120 V).<br />
Schichtdicke [nm]<br />
1200<br />
1000<br />
800<br />
600<br />
400<br />
200<br />
2850<br />
2800<br />
0<br />
0 50 100 150 200 250 300<br />
Behandlungszeit [s]<br />
Abb. 66: Abnahme der PMMA-Schichtdicke auf Silizium in Abhängigkeit <strong>von</strong> der Plasmabehandlungszeit<br />
bei konstanten Prozessparametern (14 sccm Ar, 30 sccm O 2, 120 V, 300 s).<br />
Die erhaltene hohe Ätzrate <strong>von</strong> PMMA während der Ar/O2-Plasmabehandlung unterstreicht<br />
deutlich die häufige Verwendung <strong>von</strong> PMMA als Photoresistmaterial. Im Vergleich zu PMMA<br />
wird bei PC bei gleichen Plasmabedingungen ein erheblich geringerer Materialabtrag erzielt (Abb.<br />
67 und Abb. 68). Diese Charakteristik ist dafür verantwortlich, dass sich zwar auf der PC-<br />
Oberfläche eine Struktur ausbildet, diese aber bei weitem nicht dem für die Entspiegelung<br />
notwendigen Aspektverhältnis entspricht.
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