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Couches minces d'oxyde d'étain: la localisation faible et les effets de ...

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5.1 Les couches polycristallines <strong>de</strong> SnO 2mécanismes <strong>de</strong> transfert du charge Batzill (2006) ; <strong>de</strong> ce fait, <strong>les</strong> étu<strong>de</strong>s complètes <strong>de</strong>ce type <strong>de</strong> matériau sont toujours d’actualité.tel-00589730, version 1 - 1 May 2011Fig. 5.3: Structure <strong>de</strong> ban<strong>de</strong> <strong>de</strong> <strong>la</strong> surface stoichiom<strong>et</strong>rique (110) <strong>de</strong> SnO 2 . -L’énergie <strong>de</strong> référence est le niveau du vi<strong>de</strong>. Le <strong>de</strong>rnier état occupé est à −8.4 eV <strong>et</strong> il estindiqué par une ligne pointillée. Les ban<strong>de</strong>s occupées (non-occupées) sont représentées par<strong>les</strong> lignes bleues (rouges). La région ombrée correspond à une projection <strong>de</strong> <strong>la</strong> structure<strong>de</strong> ban<strong>de</strong> du massif. Son alignement est fixé <strong>de</strong> façon à ce que <strong>les</strong> niveaux 1s <strong>de</strong>s atomes<strong>de</strong> Sn coïnci<strong>de</strong>nt avec <strong>la</strong> position qu’ils occupent dans le matériau massif. Les ban<strong>de</strong>s sontcalculées en utilisant le schéma B3LY P. (crédit Trani <strong>et</strong> al. (2008))Les joints entre <strong>les</strong> grains ont une importance cruciale pour le transfert <strong>de</strong> chargeKojima <strong>et</strong> al. (1988), Serin <strong>et</strong> al. (2006). Bien que <strong>les</strong> résultats <strong>de</strong>s étu<strong>de</strong>s <strong>de</strong> certainssystèmes (couches) amorphes <strong>et</strong> granu<strong>la</strong>ires sont connus, il est difficile <strong>de</strong> concluredéfinitivement sur <strong>les</strong> rô<strong>les</strong> <strong>de</strong>s états électroniques <strong>de</strong> surface pour <strong>les</strong> mécanismes d<strong>et</strong>ransfert <strong>de</strong> charge [Singh <strong>et</strong> al. (2008)]. Aux basses températures, <strong>les</strong> couches polycristallines<strong>de</strong>s oxy<strong>de</strong>s transparents sont <strong>de</strong>s semiconducteurs dégénérés Zhang & Ma(1996), l’eff<strong>et</strong> tunnel entre joints <strong>de</strong> grains étant le mécanisme principal responsable99

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