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Couches minces d'oxyde d'étain: la localisation faible et les effets de ...

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7.3 Localisation <strong>faible</strong> <strong>et</strong> l’interaction électron-électron sous champmagnétique intens<strong>et</strong>el-00589730, version 1 - 1 May 2011G 032101540152015001480146014401420140013801360R, Ohm0 10 20 30 40 50B, Tes<strong>la</strong>0,1 2,7 54,6 1096,6B/Bhigh fieldB>>B trT = 4 KT = 6 KT = 10 KT = 15 KT = 20 KT = 30 KFig. 7.15: Dépendances <strong>de</strong> <strong>la</strong> magnétoconductivité d’une couche granu<strong>la</strong>ire<strong>de</strong> SnO 2 en fonction du champ magnétique normalisé (échantillon : 2). -B φ = /(4eDτ φ ), G 0 = e 2 /(2π 2 ). Les courbes obtenues aux températures différentesse chevauchent. L’insert présente <strong>les</strong> dépendances <strong>de</strong> <strong>la</strong> résistivité en fonction du champmagnétique, obtenues pour le même échantillon. [Dauzhenka <strong>et</strong> al. (2010)]153

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