Couches minces d'oxyde d'étain: la localisation faible et les effets de ...

7tel-00589730, version 1 - 1 May 2011La localisation faible etl’interaction électron-électrondans les couches polycristallinesde dioxyde d’étain7.1 Les méthodes d’extraction des corrections à la conductivité,issues de la localisation faible et de l’interactionélectron-électronNous avons vu que les corrections à la conductivité, issues de la localisation faible etde l’interaction électron-électron, montrent parfois les mêmes dépendances en fonctionde la température et du champ magnétique (voir Section (4.5)). Ceci est dû au fait quedans tous les cas, les porteurs de charge sont diffusés d’une manière cohérente par lesdéfauts statiques (dans le cadre de la localisation faible) et par les oscillations de Friedel(dans le cadre de l’interaction électron-électron). La conservation de la cohérence dephase dans ces processus de diffusion mène au phénomène d’interférence quantique,dont on peut observer les effets dans les expériences sur la conductivité. Afin d’obtenirl’information correcte sur les paramètres microscopiques, tels que le temps du déphasageτ φ et la constante de l’interaction F0 σ , il est nécessaire de savoir extraire les différentescontributions à la conductivité données par la localisation faible et l’interaction électronélectron.131