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Couches minces d'oxyde d'étain: la localisation faible et les effets de ...

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4. LES VOIES DE LA DIFFUSION DES PORTEURS DE CHARGE ETLEUR CONTRIBUTION AUX CORRECTIONS QUANTIQUES À LACONDUCTIVITÉoù l’opérateur <strong>de</strong> po<strong>la</strong>risation Π(q, ω) dans <strong>la</strong> limite <strong>de</strong> valeurs <strong>de</strong> q <strong>et</strong> ω p<strong>et</strong>ites prend<strong>la</strong> forme suivante :Dq 2Π(q, ω) = ν d−iω + Dq2. (4.44)Dans <strong>les</strong> expressions (4.43) <strong>et</strong> (4.44) : D est <strong>la</strong> constante <strong>de</strong> diffusion (D = v 2 F τ/3en quasi-1D, quasi-2D <strong>et</strong> en 3D ; <strong>et</strong> D = v 2 F τ/2 en 2D), ν d est <strong>la</strong> <strong>de</strong>nsité d’états dansle système à d-dimensions, V 0 (q) est le potentiel Coulombien,tel-00589730, version 1 - 1 May 2011en 1D.en 3D,en 2D, <strong>et</strong>V 0 (q) = 4πe2q 2 (4.45)V 0 (q) = 2πe2|q|(4.46)V 0 (q) = e 2 1ln(q 2 a2) (4.47)En prenant q ∼ 1/a pour <strong>la</strong> limite supérieur <strong>de</strong> “cut-off”(où a est <strong>la</strong> taille <strong>de</strong>l’échantillon) <strong>et</strong> en utilisant expressions (4.43) - (4.47), on obtient pour V (q, ω)4πe 2V (q, ω) =q 2 +Dq2−iω+Dq 2 η 2 3, (4.48)V (q, ω) =|q| +2πe 2, (4.49)Dq2 η−iω+Dq 2 2V (q, ω) =e 2e 2 ν 1Dq 2−iω+Dq 2 − ln −1 (q 2 a 2 ) , (4.50)en 3D, 2D <strong>et</strong> 1D respectivement. Dans ces <strong>de</strong>rnières expressions η 2 3 = η2 = 4πe 2 ν 3 <strong>et</strong>η 2 = 2πe 2 ν 2 . Dans le cas où l’interaction entre <strong>les</strong> électrons (V (q)) ne peut pas êtreconsidérée comme une interaction <strong>faible</strong> à courte portée, il ne suffit plus <strong>de</strong> considérerl’ordre le plus bas dans <strong>la</strong> théorie <strong>de</strong> perturbation. C’est le cas du potentiel Coulombien(V (q) ∼ 1/q). Dans ce cas on ne peut pas justifier <strong>la</strong> théorie <strong>de</strong>s perturbations en70

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