Couches minces d'oxyde d'Ã©tain: la localisation faible et les effets de ...

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6. PROPRIÉTÉS ÉLECTRIQUES DES COUCHESPOLYCRISTALLINES DE DIOXYDE D’ÉTAINtel-00589730, version 1 - 1 May 2011Usample, VB, Tesla4030201000,01480,01440,01400,01360,0132U sample , V0,0150,0140,0130,00 0,02 0,040,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6T = 4,2 Ktime, snonfiltered datafrequency domain filtration results0,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6time, sFig. 6.5: Profil du champ magnétique pulsé et la variation temporelle du signalmesuré sur l’échantillon avant et après le FDF. - La température T = 4.2 K.(échantillon : 171005-2)122
6.2 Résistance du côté métallique et du côté isolant de la transitionmétal-isolanttel-00589730, version 1 - 1 May 2011R, Ohm18500184001830018200181001800017900sample: 171005_2 (SnO 2)file: 180106_T1d8K_compareT = 1,8 Kwithout freq.domain filteringwith freq. domain filtering0 10 20 30 40B (T)Fig. 6.6: Dépendance de la résistance d’une couche granulaire de SnO 2 en fonctiondu champ magnétique (T = 1.8 K ; échantillon : 171005-2). - Les pointesnoires sont les résultats obtenus sans le FDF. Les pointes rouges - avec le FDF.123
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