Couches minces d'oxyde d'étain: la localisation faible et les effets de ...

7. LA LOCALISATION FAIBLE ET L’INTERACTIONÉLECTRON-ÉLECTRON DANS LES COUCHES POLYCRISTALLINESDE DIOXYDE D’ÉTAINl’écrantage et la fonction G F (Tτ)G F (Tτ) = − ln(Tτ) + const. (7.25)Dans le cas où l’interaction est “pointlike”, la contribution de Hartree δρ H xx domine etla magnétorésistance devient positive, manifestant un comportement quadratique enchamp ρ ∝ B 2 [Gornyi & Mirlin (2004); Olshanetskii et al. (2006)].tel-00589730, version 1 - 1 May 2011R, Ohm1610016000159001580015700156001550015400sample: 171005_2 (SnO 2)file: 180109_T3K_compareT = 3 Kwithout freq. domain filteringwith freq. domain filtering5 10 15 20 25 30 35 40 45B, TeslaFig. 7.17: La dépendance de la résistance d’une couche granulaire de SnO 2 enfonction du champ magnétique à T = 3 K (échantillon : 171005-2). - Les pointsnoirs sont les résultats obtenus sans la filtration du domaine de fréquence. Les points rouges- avec la filtration du domaine de fréquence.La Figure (7.18) présente les mêmes données que la Figure (7.17) en fonction ducarré du champ magnétique, la ligne solide noire étant le résultat de l’ajustement avecle modèle linéaire. On remarque que le comportement de la résistance dans la gammeB =6 - 9 Tesla est bien quadratique. La même procédure a été réalisée avec les donnéesobtenues aux autres températures (voir Figures (7.19)-(7.20)).156