Couches minces d'oxyde d'Ã©tain: la localisation faible et les effets de ...

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7. LA LOCALISATION FAIBLE ET L’INTERACTIONÉLECTRON-ÉLECTRON DANS LES COUCHES POLYCRISTALLINESDE DIOXYDE D’ÉTAINtel-00589730, version 1 - 1 May 2011162
8Conclusionstel-00589730, version 1 - 1 May 20118.1 La transition métal-isolant dans les couches granulairesde SnO 2Dans ce dernier chapitre, je donne une explication possible des changements observésdans les mécanismes de transport de charge dans les couches polycristallines de SnO 2 .D’abord, nous supposons que la transition d’Anderson a lieu. Dans le cadre de lathéorie self-consitente de la localisation d’Anderson Vollhardt, D. & Wölfle (1980a,b),la conductivité électronique statique d’un système devient zéro à T = 0 K, quandl’énergie de Fermi E F ≡ ε F → E C ≡ ε C (ou, le même, k F l ≈ 1), où E C est le seuilde mobilité à une particule Kotov & Sadovskii (1983); Myasnikov & Sadovskii (1982);Sadovskii (2006)E (3D)C∝ m 3 (ρν 2 ) 2 (8.1)Dans l’Eq. (8.1) : ρ - est la concentration adimensionnelle des centres diffuseurs, quicorrespondent aux donneurs peu profonds dans la bande de conduction (ρ = N i a 3 , N i- est la concentration des centres de diffusion, a - est la constante du réseau), ν - est lepotentiel de diffusion (la hauteur de barrière). Alors, pour certaines valeurs de ρ et deν (ρ est suffisamment grande pour donner des porteurs de charge (et former la bandedes impurétés); ν est suffisamment petite pour permettre la diffusion par-dessus desbarrières de potentiel), on peut atteindre le régime où ε F > E C . Ce régime correspondaux cristallites présentant un degré de perfection élevé (les valeurs de ν sont petites)et à la présence de porteurs de charge dans la bande de conduction (voir côté droit de163
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3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
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4. LES VOIES DE LA DIFFUSION DES PO
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4.4 Les effets de l’interaction
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