Couches minces d'oxyde d'Ã©tain: la localisation faible et les effets de ...

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7. LA LOCALISATION FAIBLE ET L’INTERACTIONÉLECTRON-ÉLECTRON DANS LES COUCHES POLYCRISTALLINESDE DIOXYDE D’ÉTAINtel-00589730, version 1 - 1 May 2011ln(R (Ohm/ ))8.88.88.72 K3 K4 K5 K6 K8 KSlope-0.01-0.02-0.03-0.040.6 1.2 1.80 1 2 3B 1/2 (T 1/2 )ln(T, K)Fig. 7.6: Dépendances de la magnétorésistance d’une couche granulaire de SnO 2en fonction du champ magnétique (échantillon : 210308-1b). - Les mêmes donnéesque dans la Figure (7.5). Les lignes solides montrent la gamme du champ magnétique oùln(R) ∝ √ B. L’insert présente la dépendance des pentes de ces lignes en fonction de latempérature (en accord avec Choy et al. (2008)). [Dauzhenka et al. (2011)]142
7.2 Localisation faible et l’interaction électron-électron sous champsmagnétiques faiblestel-00589730, version 1 - 1 May 2011/G 00.60.50.40.30.20.10.0L (nm)15014013012011010090L ~T -1/22 3 4 5 6 7 8 910T (K)T = 2 KT = 3 KT = 4 KT = 5 KT = 8 K0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2B (T)Fig. 7.7: Dépendances de la magnétoconductance d’une couche granulaire enfonction du champ magnétique (échantillon : 210308-1b). - G 0 = e 2 /(2π 2 ). Lescourbes solides noires sont les résultats de l’ajustement, obtenus avec expression (7.18).L’insert présente la dépendance de la longueur du déphasage L φ (T), déduite des résultatsdu “fit”. [Dauzhenka et al. (2011)]143
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4.4 Les effets de l’interaction
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