Couches minces d'oxyde d'étain: la localisation faible et les effets de ...

4. LES VOIES DE LA DIFFUSION DES PORTEURS DE CHARGE ETLEUR CONTRIBUTION AUX CORRECTIONS QUANTIQUES À LACONDUCTIVITÉ(1982)]λ = −2F = ¯V (p − p ′ , 0), (4.68)V (0, 0)où la barre dans ¯V indique la moyenne sur la surface de Fermi et le facteur 2 est dû auxélectrons avec deux projections du spin. A deux dimensions [Altshuler et al. (1980a);Altshuler, B. L. et al. (1982)]tel-00589730, version 1 - 1 May 2011F =1 1 ∑V (p − p ′ )G A 0 (p)G R 0 (p)G A 0 (p ′ )G R 0 ≈(2πτν 2 ) V (q = 0)p,p ′≈∫ 2π0où θ est l’angle entre p et p ′dθ2π [1 + 2p Fη 2sin( θ 2 )]−1 = 1 π√4p 2 Fη 2 21ln(− 12p Fη 2+2p Fη 2 2−√4p 2 Fη22√4p 2 Fη 2 2− 1), (4.68a)− 1et dans l’évaluation de l’intégrale on a utilisé le fait queτ −1 → 0 et |p| ≈ p F . Pour l’interaction à courte portée (2p F /η → 0), le paramètreF → 1 et, dans le cas où le rayon d’écrantage est grand, F → 0. A trois dimensionset pour les systèmes quasi-1D et quasi-2D, quand l’épaisseur de couche est grandecomparée à la longueur de Debye, le paramètre F prend la forme suivante [Altshuleret al. (1980b); Altshuler, B. L. et al. (1982); Rosenbaum et al. (1981)] :F = η24p 2 Fln(1 + 4p2 F). (4.69)η2 Ces expressions pour le paramètre F (Eq. (4.68a) et (4.69)) n’ont un sens que pourles métaux et semiconducteurs dégénérés.Dans le cas du potentiel à courte portée (quand le rayon du potentiel est plus courtque la longueur d’onde), le terme de Hartree dans la correction à la densité d’états estdeux fois plus grand que le terme d’échange et il a le signe opposé. Par conséquent, lacorrection totale à la densité d’états est donnée dans ce cas par les expressions (4.66)et (4.67) avec les signes opposés Altshuler, B. L. et al. (1982).Les corrections issues des ordres supérieurs dans la théorie des perturbations sontdéterminées non par la constante de couplage électron-électron (λ), mais par le paramètreAltshuler, B. L. et al. (1982) :76