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Couches minces d'oxyde d'étain: la localisation faible et les effets de ...

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7.3 Localisation <strong>faible</strong> <strong>et</strong> l’interaction électron-électron sous champmagnétique intenseR (Ohm)1561015540sample: 171005_2 (SnO 2)file: 180109_T3K_compareT = 3 KB=5.5 TB=9.3 Twith freq. domain filteringLinear Fit of R, Ohmtel-00589730, version 1 - 1 May 201140 60 80B 2 (T 2 )Fig. 7.18: Dépendance <strong>de</strong> <strong>la</strong> résistance d’une couche granu<strong>la</strong>ire <strong>de</strong> SnO 2 enfonction du carré du champ magnétique B 2 à T = 3 K (échantillon : 171005-2).- Les points rouges sont <strong>les</strong> résultats obtenus avec <strong>la</strong> filtration dans le domaine fréquence.R (Ohm)182001810018000B = 1.1 TB = 5.42 T20 40 60 80B 2 (T 2 )Fig. 7.19: Dépendance <strong>de</strong> <strong>la</strong> résistance d’une couche granu<strong>la</strong>ire <strong>de</strong> SnO 2 enfonction du carré du champ magnétique B 2 à T = 1.8 K (échantillon : 171005-2). - Les points rouges sont <strong>les</strong> résultats obtenus avec <strong>la</strong> filtration dans le domaine <strong>de</strong>fréquence.157

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