RÉFÉRENCESRammer, J. (1991). Quantum transport theory of electrons in solids : A single-particle approach.Reviews of Mo<strong>de</strong>rn Physics, 63, 781–817. 2Rammer, J. (2007). Quantum Field Theory of Non-equilibrium States. Cambridge UniversityPress, illustrated edition edn. 15, 148Rammer, J. & Smith, H. (1986). Quantum field-theor<strong>et</strong>ical m<strong>et</strong>hods in transport theory ofm<strong>et</strong>als. Reviews of Mo<strong>de</strong>rn Physics, 58, 323–359. 2, 8Reizer, M.Y. (1992). Fluctuation conductivity above the superconducting transition : Regu<strong>la</strong>rizationof the Maki-Thompson term. Physical Review B, 45, 12949–12958. 90tel-00589730, version 1 - 1 May 2011Rosenbaum, R., Heines, A., Palevski, A., Karpovski, M., G<strong>la</strong>dkikh, A., Pilosof, M.,Daneshvar, A.J., Graham, M.R., Wright, T., Nicholls, J.T., Adkins, C.J., Witcomb,M., Prozesky, V., Przybylowicz, W. & Pr<strong>et</strong>orius, R. (1997). M<strong>et</strong>allic transportproperties of amorphous nickel - silicon films. Journal of Physics : Con<strong>de</strong>nsed Matter, 9, 5395+.167, 169Rosenbaum, R., Hsu, S.Y., Chen, J.Y., Lin, Y.H. & Lin, J.J. (2001). Superconductingfluctuation magn<strong>et</strong>oconductance in a tungsten carbi<strong>de</strong> film. Journal of Physics : Con<strong>de</strong>nsedMatter, 13, 10041+. 91Rosenbaum, T.F., Andres, K., Thomas, G.A. & Lee, P.A. (1981). Conductivity Cusp in aDisor<strong>de</strong>red M<strong>et</strong>al. Physical Review L<strong>et</strong>ters, 46, 568–571. 76Rozenberg, M.J., Zhang, X.Y. & Kotliar, G. (1992). Mott-Hubbard transition in infinitedimensions. Physical Review L<strong>et</strong>ters, 69, 1236–1239. 26Sadovskii, M.V. (2006). Diagrammatics : Lectures on Selected Problems in Con<strong>de</strong>nsed MatterTheory. World Scientific Publishing Company. 7, 8, 37, 38, 39, 44, 46, 64, 65, 66, 67, 163Samson, S. & Fonstad, C.G. (1973). Defect structure and electronic donor levels in stannicoxi<strong>de</strong> crystals. Journal of Applied Physics, 44, 4618–4621. 9, 155Sanon, G., Rup, R. & Mansingh, A. (1991). Band-gap narrowing and band structure in<strong>de</strong>generate tin oxi<strong>de</strong> (°sno 2°) films. Physical Review B, 44, 5672–5680. 105Schreiber, M. & Grussbach, H. (1991). Multifractal wave functions at the an<strong>de</strong>rson transition.Physical Review L<strong>et</strong>ters, 67, 607–610. 14Serin, T., Serin, N., Kara<strong>de</strong>niz, S., Sari, H., Tugluoglu, N. & Pakma, O. (2006).Electrical, structural and optical properties of sno2 thin films prepared by spray pyrolysis.Journal of Non-Crystalline Solids, 352, 209–215. 99, 100, 102, 106Serin, T., Yildiz, A., Serin, N., Yildirim, N., Figen, Ö. & Kasap, M. (2010). Electron–Electron Interactions in Sb-Doped SnO2 Thin Films. Journal of Electronic Materials, 39, 1152–1158. 100, 102, 105192
RÉFÉRENCESShanthi, E., Dutta, V., Banerjee, A. & Chopra, K.L. (1980). Electrical and optical propertiesof undoped and antimony-doped tin oxi<strong>de</strong> films. Journal of Applied Physics, 51, 6243–6251.102, 103, 105Shapiro, B. & Abrahams, E. (1981). Scaling theory of the Hall effect in disor<strong>de</strong>red electronicsystems. Physical Review B, 24, 4025–4030. 133Sheng, P. (1980). Fluctuation-induced tunneling conduction in disor<strong>de</strong>red materials. PhysicalReview B, 21, 2180–2195. 115, 117Sheng, P. (1995). The Scaling Theory of Localization, 215–239. Elsevier. 19Shklovskii, B.I. & Efros, A.L. (1984). Electronic Properties of Doped Semiconductors : With106 Figures (Springer Series in Solid-State Sciences). Springer. 3, 5, 8, 73, 139tel-00589730, version 1 - 1 May 2011Shklovskii, B.I. & Pol<strong>la</strong>k, M. (1991). Hopping Transport in Solids (Mo<strong>de</strong>rn Problems inCon<strong>de</strong>nsed Matter Sciences). North Hol<strong>la</strong>nd. 4Shklovskii, B.I. & Spivak, B.Z. (1991). Scattering and Interference Effects in Variable RangeHopping Conduction, chap. 9, 271–348. Elsevier Science Publishers B.V. 36, 139Shklovskii, B.I., Shapiro, B., Sears, B.R., Lambriani<strong>de</strong>s, P. & Shore, H.B. (1993).Statistics of spectra of disor<strong>de</strong>red systems near the m<strong>et</strong>al-insu<strong>la</strong>tor transition. Physical ReviewB, 47, 11487–11490. 14Simmons, M.Y., Hamilton, A.R., Pepper, M., Linfield, E.H., Rose, P.D. & Ritchie,D.A. (2000). Weak localization, hole-hole interactions, and the ım<strong>et</strong>alj-insu<strong>la</strong>tor transition intwo dimensions. Physical Review L<strong>et</strong>ters, 84, 2489–2492. 5, 160Singh, A.K., Janotti, A., Scheffler, M. & Van <strong>de</strong> Walle, C.G. (2008). Sources of electricalconductivity in °sno2°. Physical Review L<strong>et</strong>ters, 101, 055502+. 9, 99, 102Slevin, K. & Ohtsuki, T. (1997). The an<strong>de</strong>rson transition : Time reversal symm<strong>et</strong>ry anduniversality. Physical Review L<strong>et</strong>ters, 78, 4083–4086. 53Smart, L.E. & Moore, E.A. (2005). Solid State Chemistry : An Introduction, Third Edition.CRC Press, 3rd edn. 95Sommerfeld, A. (1928). Zur elektronentheorie <strong>de</strong>r m<strong>et</strong>alle auf grund <strong>de</strong>r fermischen statistik.Zeitschrift für Physik A Hadrons and Nuclei, 47, 1–32. 1Stu<strong>de</strong>nikin (2003). Anomalous spin-orbit effects in a strained ingaas/inp quantum well structure.JETP L<strong>et</strong>ters, 77, 362–367. 5Tan, E.T.H., Ho, G.W., Wong, A.S.W., Kawi, S. & Wee, A.T.S. (2008). Gas sensingproperties of tin oxi<strong>de</strong> nanostructures synthesized via a solid-state reaction m<strong>et</strong>hod. Nanotechnology,19, 255706+. 95193
- Page 1:
THÈSEtel-00589730, version 1 - 1 M
- Page 5 and 6:
tel-00589730, version 1 - 1 May 201
- Page 7:
Table des matièresTable des figure
- Page 14 and 15:
TABLE DES FIGURES7.5 Dépendances d
- Page 16 and 17:
TABLE DES FIGUREStel-00589730, vers
- Page 18 and 19:
LISTE DES TABLEAUXtel-00589730, ver
- Page 20 and 21:
1. INTRODUCTIONtel-00589730, versio
- Page 22 and 23:
1. INTRODUCTIONtel-00589730, versio
- Page 24 and 25:
1. INTRODUCTIONtel-00589730, versio
- Page 26 and 27:
1. INTRODUCTION(ρ - concentration
- Page 28 and 29:
2. PRÉSENTATION DE L’ÉTUDESigna
- Page 30 and 31:
2. PRÉSENTATION DE L’ÉTUDEtel-0
- Page 32 and 33:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 34 and 35:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 36 and 37:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 38 and 39:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 40 and 41:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 42 and 43:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 44 and 45:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 46 and 47:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 48 and 49:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 50 and 51:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 52 and 53:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 54 and 55:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 56 and 57:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 58 and 59:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 60 and 61:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 62 and 63:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 64 and 65:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 66 and 67:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 68 and 69:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 70 and 71:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 72 and 73:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 74 and 75:
3. MÉCANISMES DE TRANSPORT DE CHAR
- Page 76:
4. LES VOIES DE LA DIFFUSION DES PO
- Page 79 and 80:
4.1 L’interaction entre les quasi
- Page 81 and 82:
4.2 Quantification et l’Hamiltoni
- Page 83 and 84:
4.3 La classification des voies de
- Page 85 and 86:
4.3 La classification des voies de
- Page 87 and 88:
4.3 La classification des voies de
- Page 89 and 90:
4.3 La classification des voies de
- Page 91 and 92:
4.4 Les effets de l’interaction
- Page 93 and 94:
4.4 Les effets de l’interaction
- Page 95 and 96:
4.4 Les effets de l’interaction
- Page 97 and 98:
4.4 Les effets de l’interaction
- Page 99 and 100:
4.5 Conductivité en présence de l
- Page 101 and 102:
4.5 Conductivité en présence de l
- Page 103 and 104:
4.5 Conductivité en présence de l
- Page 105 and 106:
4.5 Conductivité en présence de l
- Page 107 and 108:
4.5 Conductivité en présence de l
- Page 109 and 110:
4.5 Conductivité en présence de l
- Page 111 and 112:
4.5 Conductivité en présence de l
- Page 113 and 114:
5tel-00589730, version 1 - 1 May 20
- Page 115 and 116:
5.1 Les couches polycristallines de
- Page 117 and 118:
5.1 Les couches polycristallines de
- Page 119 and 120:
5.1 Les couches polycristallines de
- Page 121 and 122:
5.1 Les couches polycristallines de
- Page 123 and 124:
5.1 Les couches polycristallines de
- Page 125 and 126:
5.1 Les couches polycristallines de
- Page 127 and 128:
5.1 Les couches polycristallines de
- Page 129 and 130:
5.1 Les couches polycristallines de
- Page 131 and 132:
5.1 Les couches polycristallines de
- Page 133 and 134:
6tel-00589730, version 1 - 1 May 20
- Page 135 and 136:
6.2 Résistance du côté métalliq
- Page 137 and 138:
6.2 Résistance du côté métalliq
- Page 139 and 140:
6.2 Résistance du côté métalliq
- Page 141 and 142:
6.2 Résistance du côté métalliq
- Page 143 and 144:
6.2 Résistance du côté métalliq
- Page 145 and 146:
6.2 Résistance du côté métalliq
- Page 147 and 148:
6.2 Résistance du côté métalliq
- Page 149 and 150:
7tel-00589730, version 1 - 1 May 20
- Page 151 and 152:
7.1 Les méthodes d’extraction de
- Page 153 and 154:
7.2 Localisation faible et l’inte
- Page 155 and 156:
7.2 Localisation faible et l’inte
- Page 157 and 158:
7.2 Localisation faible et l’inte
- Page 159 and 160: 7.2 Localisation faible et l’inte
- Page 161 and 162: 7.2 Localisation faible et l’inte
- Page 163 and 164: 7.2 Localisation faible et l’inte
- Page 165 and 166: 7.2 Localisation faible et l’inte
- Page 167 and 168: 7.2 Localisation faible et l’inte
- Page 169 and 170: 7.3 Localisation faible et l’inte
- Page 171 and 172: 7.3 Localisation faible et l’inte
- Page 173 and 174: 7.3 Localisation faible et l’inte
- Page 175 and 176: 7.3 Localisation faible et l’inte
- Page 177 and 178: 7.3 Localisation faible et l’inte
- Page 179 and 180: 7.3 Localisation faible et l’inte
- Page 181 and 182: 8Conclusionstel-00589730, version 1
- Page 183 and 184: 8.1 La transition métal-isolant da
- Page 185 and 186: 9Appendice Atel-00589730, version 1
- Page 187 and 188: 9.1 Dimensionalité effective par r
- Page 189 and 190: 9.1 Dimensionalité effective par r
- Page 191 and 192: 10Appendice Btel-00589730, version
- Page 193 and 194: 10.1 Publications, posters, partici
- Page 195 and 196: 10.1 Publications, posters, partici
- Page 197 and 198: RéférencesAbrahams, E. & Ramakris
- Page 199 and 200: RÉFÉRENCESAltshuler, B. L., Arono
- Page 201 and 202: RÉFÉRENCESChacko, S., Philip, N.,
- Page 203 and 204: RÉFÉRENCESGiraldi, T.R., Lanfredi
- Page 205 and 206: RÉFÉRENCESKleinert, P. & Bryksin,
- Page 207 and 208: RÉFÉRENCESMessiah (1999). Mécani
- Page 209: RÉFÉRENCESNiimi, Y., Baines, Y.,
- Page 213 and 214: RÉFÉRENCES(y.) Bogoliubov, N.N. &