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7. LA LOCALISATION FAIBLE ET L’INTERACTIONÉLECTRON-ÉLECTRON DANS LES COUCHES POLYCRISTALLINESDE DIOXYDE D’ÉTAINtel-00589730, version 1 - 1 May 2011D’après les résultats de “fit”, nous pouvons déduire la dépendance de la longueurcaractéristique du déphasage en fonction de la température L φ (T) = √ Dτ φ et le tempsdu déphasage τ φ (T) (voir l’insert de la Figure (7.7)), qui donnent l’information sur lemécanisme du déphasage qui domine dans le système. On remarque que L φ (T) ∝ T −1/2(τ φ (T) ∝ T −1 ); une telle dépendance de la longueur du déphasage en fonction dela température signifie que les diffusions électron-électron incluant un faible transfertd’énergie sont responsables du déphasage [Altshuler & Aronov (1985)]. Dans les proceduresde “fit”par l’expression (7.18), nous avons utilisé α et B φ comme les paramètresajustables, la valeur de B tr étant fixée à 0.34 Tesla [Dauzhenka et al. (2011)].La Figure (7.8) présente les dépendances de la magnétoconductance ∆σ/σ 0 ≡(σ(B) − σ(B = 0))/σ(B = 0) en fonction du champ magnétique, obtenues à différentestempératures fixées. On remarque que la magnétoconductance reste positive dans toutela gamme du champ magnétique appliqué, l’amplitude de cette magnétoconductancediminuant avec l’augmentation de la température. La Figure (7.9) présente dans lescoordonnées ∆σ/G 0 vs B/B φ les mêmes données expérimentales que la Figure (7.8).Cette forme de présentantion a été utilisée pour la première fois par Bergmann (1982a,b)et, par la coïncidence des courbes obtenues à différentes températures, elle justifie laprocédure de “fit”. L’insert dans la Figure (7.9) présente la dépendance du paramètreα en fonction de la température, qui se trouve être en bon accord avec la prédictionde Minkov et al. (2004), établie pour les systèmes désordonnés en régime d’isolantfaible. Ces résultats corroborent l’hypothèse que nos échantillons fortementdésordonnés se trouvent du côté métallique de la transition métal-isolant,au voisinage de cette transition.La Figure (7.10) présente les dépendances des magnétoconductivités de deux échantillonsen fonction du champ magnétique. Les valeurs l φ /l ≡ L φ (T)/l (où l est le libre parcoursmoyen), indiquées du côté droit de la Figure (7.10) justifient l’applicabilité de l’approximationde diffusion pour chaque échantillon à chaque température. Plus grande est lavaleur du paramètre L φ /l, mieux l’approximation de diffusion est justifiée. Plus petiteest le valeur de ce paramètre, plus l’échantillon ♯ 1 est désordonné et, par conséquent,plus l’amplitude de la magnétoconductivité est grande à cause de la contribution dela correction issue de l’interaction électron-électron, qui conduit à l’augmentation demagnétoconductivité à fort champ magnétique Gornyi & Mirlin (2003, 2004).144
7.2 Localisation faible et l’interaction électron-électron sous champsmagnétiques faibles76tel-00589730, version 1 - 1 May 2011 [%]543210TT = 6 KT = 7 KT = 8 KT = 10 KT = 12 KT = 14 KT = 16 KT = 18 KT = 20 KT = 25 KT = 30 K-8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8 10 12 14B, TeslaFig. 7.8: Dépendance de la magnétoconductance d’une couche granulaire deSnO 2 en fonction du champ magnétique (échantillon : 1). - La magnétoconductancepositive implique la présence des effets d’interférence quantique et du déphasage des ondesélectroniques, causés par le champ magnétique.145
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