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Couches minces d'oxyde d'étain: la localisation faible et les effets de ...

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7. LA LOCALISATION FAIBLE ET L’INTERACTIONÉLECTRON-ÉLECTRON DANS LES COUCHES POLYCRISTALLINESDE DIOXYDE D’ÉTAIN14200tel-00589730, version 1 - 1 May 2011R, Ohm141001400013900sample: 171005_2 (SnO 2)file: 180103_T4d2K_compareT = 4,2 KB = 7.3 Tes<strong>la</strong>0 100 200 300B 2 (T 2 )B = 16 Tes<strong>la</strong>Fig. 7.20: Dépendance <strong>de</strong> <strong>la</strong> résistance d’une couche granu<strong>la</strong>ire <strong>de</strong> SnO 2 enfonction du champ magnétique B 2 à T = 4.2 K (échantillon : 171005-2). - Lespoints rouges sont <strong>les</strong> résultats obtenus avec <strong>la</strong> filtration du domaine <strong>de</strong> fréquence.158

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