Couches minces d'oxyde d'Ã©tain: la localisation faible et les effets de ...

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7. LA LOCALISATION FAIBLE ET L’INTERACTIONÉLECTRON-ÉLECTRON DANS LES COUCHES POLYCRISTALLINESDE DIOXYDE D’ÉTAINtel-00589730, version 1 - 1 May 2011R/R(300K)1.61.41.21.0R (Ohm)150012003 7 20 55 148T (K)0 50 100 150 200 250 300T (K)Fig. 7.2: Dépendance de la résistivité en fonction de la température d’unecouche granulaire de SnO 2 (échantillon : sample280308-1b-polikor). - La figureprincipale et l’insert présentent les mêmes données. La ligne rouge est un guide pour lesyeux. Dauzhenka et al. (2011)136
7.2 Localisation faible et l’interaction électron-électron sous champsmagnétiques faiblestel-00589730, version 1 - 1 May 2011-1 )1/R (8.0x10 -47.2x10 -4transver. 0.1 T6.4x10 -45.6x10 -41 10T (K)longitud. 0.1 Ttransver. 0.2 Tlongitud. 0.2 Ttransver. 0.3 Tlongitud. 0.3 TFig. 7.3: Dépendances de la résistance en fonction de la température, obtenuesà champ magnétique fixé. (échantillon : sample280308-1b-polikor) - Les courbesforment deux groupes à l’égard de l’orientation du champ magnétique par rapport au plande la couche. Le courant électrique est perpendiculaire au champ magnétique. Dauzhenkaet al. (2011)137
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