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Couches minces d'oxyde d'étain: la localisation faible et les effets de ...

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7. LA LOCALISATION FAIBLE ET L’INTERACTIONÉLECTRON-ÉLECTRON DANS LES COUCHES POLYCRISTALLINESDE DIOXYDE D’ÉTAINtel-00589730, version 1 - 1 May 2011/G 00.60.50.40.30.20.1T = 5 KT = 6 KT = 8 KT = 10 K-7.74(B/B tr) -1/20.00.1 1 10 100B (T)Fig. 7.14: Dépendances <strong>de</strong> magnétoconductivité d’une couche granu<strong>la</strong>ire <strong>de</strong>SnO 2 en fonction du champ magnétique. (échantillon : 210308-1b). - G 0 =e 2 /(2π 2 ). Les lignes soli<strong>de</strong>s noires sont <strong>les</strong> extrapo<strong>la</strong>tions <strong>de</strong>s courbes présentées sur<strong>la</strong> Figure (7.7), qui correspon<strong>de</strong>nt à <strong>la</strong> contribution <strong>de</strong> <strong>la</strong> <strong>localisation</strong> <strong>faible</strong> (voir Eq.(7.18)). La ligne rouge présente le comportement asymptotique <strong>de</strong> <strong>la</strong> magnétoconductivité(à B ≫ B tr ), décrit par l’Eq. (7.20). [Dauzhenka <strong>et</strong> al. (2011)]152

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