Couches minces d'oxyde d'Ã©tain: la localisation faible et les effets de ...

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6. PROPRIÉTÉS ÉLECTRIQUES DES COUCHESPOLYCRISTALLINES DE DIOXYDE D’ÉTAIN6.2.1 Magnétorésistance en champs magnétiques pulséstel-00589730, version 1 - 1 May 2011La technique standard “lock-in”avec la méthode 4 pointes a été utilisée pour mesurerla résistance des échantillons en fonction de la température et du champ magnétiquepulsé. Le champ magnétique a été appliqué perpendiculairement à la surface de l’échantillon.Les contacts ont été placés sur la surface de l’échantillon en configuration linéaire. Lesmesures électriques ont été réalisées avec les amplificateurs à verrouillage de phase(lock-in amplifiers : SR TM 830). Les signaux de l’excitation et de référence ont étéfournis, tous les deux, par un générateur de tension (Low Distortion Function Generator),la fréquence de l’excitation étant dans la gamme du kHz (particulièrement,pour les résultats présentés, 1.33 kHz). Les mesures de la résistance électrique ont étéréalisées pendant l’impulsion du champ magnétique, la durée de chaque impulsion étant600 ms. On peut voir que la relation entre la durée de l’impulsion du champ magnétiqueet la fréquence de l’excitation satisfait l’exigence, selon laquelle la fréquence de l’excitationdoit être beaucoup plus grande que la fréquence caractéristique de la variationdu champ.La procédure de mesure est commune et largement utilisée dans les mesures électriquessous l’application des champs magnétiques pulsés (voir, par exemple, Askenazy (1995);Laukhin et al. (1995); Vignolles et al. (2003)). La Figure (6.3) présente la co-évolutiontemporelle de la tension (voltage drop) (à T = 1.8 K) et de l’amplitude du champmagnétique.Différentes techniques pour les mesures électriques en champs magnétiques pulsésont été présentées Kozlova et al. (2004); Machel & von Ortenberg (1995); Murthy &Venkataraman (2009) ; ces techniques implémentent des procédures d’acquisition etde prétraitement. Par contre, au lieu d’utiliser les procédures d’acquisition spéciales,nous avons réalisé un analyse “post-acquisition”des données. Ainsi, la Figure (6.3),montre la variation temporelle du signal, mesuré sur l’échantillon par l’amplificateur àverrouillage. On peut voir qu’au maximum du pulse du champ magnétique correspondune bande de variation de la tension plus étroite (à t ≈ 56 ms). Cela signifie que quandle champ magnétique varie lentement (la dérivée au maximum du champ est nulle), lesvariations de la tension électrique sur l’échantillon sont minimales.Il faut noter, qu’en fait on considère ici la dépendance de la tension électriqueen fonction de champ magnétique. Ainsi les processus, qui peuvent être responsables118
6.2 Résistance du côté métallique et du côté isolant de la transitionmétal-isolant40tel-00589730, version 1 - 1 May 2011B, TeslaU, V30201000,01900,01850,01800,01750,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,60,0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6time, sFig. 6.3: Profil du champ magnétique pulsé et la variation temporelle du signalmesuré sur l’échantillon. - La température T = 1.8 K. (échantillon : 171005-2)119
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