"CrÃ©ation et utilisation d'atlas anatomiques numÃ©riques pour la ...

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108 Chapitre 5. Graphène multi-feuilletqui dans le modèle des liaisons fortes Slonczewski-Weiss-McClure au premier voisinest insensible au champ magnétique, est en fait fortement modié par l'applicationd'un champ magnétique.Les études portant sur l'eet Hall quantique dans le graphite ont montré que lavaleur des plateaux de résistance est fortement inférieure à h/e 2 avec des valeurs del'ordre de l'Ohm [Luk'yanchuk 2004, Kopelevich 2009]. Ceci serait dû à une conductionen parallèle des diérentes couches constitutives du graphite, très faiblementcouplées les unes aux autres. Les valeurs de résistance des plateaux de Hall que nousreportons, semblent donc indiquer que les diérents feuillets se comportent commeune seule entité dénissant ainsi un système multi-couche. Pourtant l'ecacité degrille est réduite, mettant en évidence un phénomène d'écrantage. Ces comportements,qui pourraient paraître contradictoires, peuvent être expliqués, si l'on envisageque l'échantillon comporte une faute d'empilement. Dans ce cas, l'échantillonserait en fait composé de deux systèmes indépendants, l'un en dessous de l'autre.Le système inférieur écranterait en partie le champ électrique de grille, diminuantainsi l'ecacité de grille dans le systeme superieur. Les plots de contact déposés àla surface de l'échantillon permettent alors de sonder les propriétés électroniques duseul système supérieur.5.2.4 ConclusionDans cette partie, nous avons observé la quantication en niveaux de landau d'unéchantillon de graphène multi-couche. Nous avons démontré la coexistence de deuxtypes de porteurs ayant une phase de Berry diérente. Nous avons aussi démontré lapossibilité d'observer l'eet Hall quantique entier dans le graphène multi-couche etce malgré la faible mobilité. La suite de facteur de remplissage observée dans l'eetHall quantique semble indiquer que la dégénérescence de vallée est probablementlevée pour certaines valeurs de tension de grille. Les faibles valeurs de facteur deremplissage pour lesquelles un plateau d'eet Hall a pu être observé, montre lacomplexité de la quantication en niveau de Landau dans le graphène multi-couche.5.3 Conclusion et perspectiveLa connaissance des propriétés électroniques du graphène multi-couche est aujourd'huibien moindre que celle du graphène mono ou bi-couche. De nombreusesétudes théoriques et expérimentales devront encore y être consacrées. Deux conditionssemblent indispensables à une étude approfondie de ces systèmes : l'obtentionde mobilité importante et le contrôle du champ électrique entre la couche inférieureet la couche supérieure. Déposer des échantillons sur du nitrure de Bore commecela a déjà été fait en [Thiti Taychatanapat 2011] pour le graphène tri-couche permetd'obtenir des mobilités après recuit de l'ordre de 100000cm 2 /V.s, c'est-à-dire2 ordres de grandeur supérieure aux mobilités observées sur SiO 2 . Le dépôt d'unegrille supérieur en plus de la grille inférieure permet un meilleur contrôle du champ
5.3. Conclusion et perspective 109électrique transverse et permettrait de sonder avec précision les propriétés électroniquede ces systèmes.
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RemerciementsMon travail de thèse
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Table des matières1 Structure de b
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Table des matièresv6.4 Conclusion
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2 Table des matièresun gap d'éner
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Chapitre 1Structure de bandes de sy
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1.1. Graphène 71.1.2 Structure de
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1.3. Nanoruban de graphène 19Figur
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1.4. Résumé et conclusion 27de La
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30 Chapitre 2. Généralités sur l
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