"Création et utilisation d'atlas anatomiques numériques pour la ...

Chapitre 6Etude de la formation des états debords dans les nanorubans degraphèneSommaire6.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1116.2 Eet Hall quantique dans les nanorubans de graphène . . . 1126.2.1 Caractérisation à champ magnétique nul . . . . . . . . . . . . 1126.2.2 Quantication en niveaux de Landau anormaux . . . . . . . . 1166.2.3 Eet du désordre sur les canaux de bords . . . . . . . . . . . 1256.2.4 Conclusion et perspectives . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1276.3 Etude de la formation des états de bords dans les nanorubansde graphène ultra étroits . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1286.3.1 Caractérisation à champ magnétique nul et détermination dela chiralité . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1296.3.2 Formation des états de bords en présence de désordre . . . . 1316.3.3 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1386.4 Conclusion et perspectives . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1396.1 IntroductionLe graphène possède des propriétés de transport électronique tout à fait particulièresqui font de lui un élément très prometteur du point de vu technologique.Il a pourtant été réalisé très tôt que le minimum de conductivité serait un obstaclemajeur à la fabrication de transistor à base de graphène. La fabrication de nanorubansde graphène de géométrie quasi 1D permet d'ouvrir un gap d'énergie dans lastructure de bande du graphène et donc d'obtenir un mode "o" compatible avec lafabrication de transistor. Comme nous l'avons vu dans la partie 1.3, le gap de connementest inversement proportionnel à la largeur du ruban [Wakabayashi 1999],mais dépend fortement des conditions de bords du ruban ("armchair" ou zigzag).Comme cela a été évoqué dans la partie 2.2.4.2, le désordre a un eet importantsur les propriétés électroniques des nanorubans de graphène. Une chute drastiquede la mobilité est observée avec la réduction de la largeur des rubans [Wang 2008].