"Création et utilisation d'atlas anatomiques numériques pour la ...
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3.1. Caractéristiques des échantillons 63Figure 3.2 Principe du lift-o (a) Dépôt des feuill<strong>et</strong>s de graphène (b) Enductionde <strong>la</strong> résine positive (c) Inso<strong>la</strong>tion (d) Révé<strong>la</strong>tion (e) Dépôt d'une couche de métalpar évaporation (f) R<strong>et</strong>rait de <strong>la</strong> résine lift-o (tiré de [Cleuziou 2007]).3.1.1.4 GravureLa dernière étape de <strong>la</strong> fabrication des échantillons est l'étape de gravure. Ellea <strong>pour</strong> but de modier <strong>la</strong> forme du feuill<strong>et</strong> de graphène. Pour ce<strong>la</strong> une étape supplémentairede lithographie électronique est nécessaire, durant <strong>la</strong>quelle des zones dufeuill<strong>et</strong> de graphène seront dénies. Le substrat est exposé à un p<strong>la</strong>sma de puissanc<strong>et</strong>rès faible (P = 300W ) durant 25 secondes, les parties du feuill<strong>et</strong> de graphène exposéessont ainsi détruites, alors que les parties du feuill<strong>et</strong> recouvertes par <strong>la</strong> résinesont protégées de <strong>la</strong> gravure.3.1.1.5 NanorubansLa fabrication de ruban de graphène est un problème technologique complexe.En e<strong>et</strong> <strong>pour</strong> que le connement <strong>la</strong>téral ait des conséquences visibles sur les propriétésélectroniques, des <strong>la</strong>rgeurs d'échantillon inférieures à <strong>la</strong> centaine de nanomètresdoivent être atteintes. C<strong>et</strong>te gamme de <strong>la</strong>rgeur irte avec les limites de résolution de<strong>la</strong> lithographie électronique, utilisant des résines de type PMMA. Des rubans al<strong>la</strong>ntjusqu'a 50nm de <strong>la</strong>rge peuvent tout de même être produits en utilisant une méthodesemb<strong>la</strong>ble à celle décrite <strong>pour</strong> dénir des barres de Hall. Un ruban de PMMA estdéni, par lithographie électronique, sur un feuill<strong>et</strong> de graphène <strong>et</strong> sert de masquelors de <strong>la</strong> gravure au p<strong>la</strong>sma oxygène. Pour des résines positives telle que <strong>la</strong> PMMA,<strong>pour</strong> dénir un ruban qui servira de masque, il faut insoler tout le reste de <strong>la</strong> surfacedu feuill<strong>et</strong> de graphène. C<strong>et</strong>te façon de procéder à cause des e<strong>et</strong>s de proximité estle principal limitant à <strong>la</strong> fabrication de nanoruban de taille inférieure à 50nm. L'<strong>utilisation</strong>de résine négative telle que le HOPG perm<strong>et</strong> de contourner ce problème <strong>et</strong>