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"Création et utilisation d'atlas anatomiques numériques pour la ...

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86 Chapitre 4. Magnéto-transport dans le graphène désordonnéde porteurs est plus importante, ces conditions sont vériées. Le coecient α peuts'écrire alors simplement comme α(V g , B) = 2R xy (V g , B)e 2 /h. On remarque que<strong>la</strong> transition entre le régime de conduction électronique (α = −1) <strong>et</strong> le régime deconduction de trous, devient plus "douce" sous champ magnétique intense. Ainsi,quelque soit <strong>la</strong> valeur de <strong>la</strong> tension de grille, entre 20T <strong>et</strong> 55T, α est réduit. Onvoit aussi que <strong>la</strong> valeur de <strong>la</strong> tension de grille <strong>pour</strong> <strong>la</strong>quelle α = 0, (c'est-à-dire quen e = n h ) passe de 52V à champ nul, à 49V à 55T. Pour c<strong>et</strong> échantillon l'applicationd'un champ magnétique supérieur à 30T induit donc de profondes modications duratio électrons-trous.La partie supérieure de <strong>la</strong> gure 4.10 (a) est une vue schématique de <strong>la</strong> surfacede l'échantillon. Les zones bleues (rouges) représentent le potentiel électrostatiquenégatif (positif) à longue portée des impur<strong>et</strong>és chargées. La partie inférieure de <strong>la</strong>gure 4.10(a) illustre les modu<strong>la</strong>tions spatiales, décou<strong>la</strong>nt de <strong>la</strong> présence de ces impur<strong>et</strong>és,de l'équipotentielle d'énergie nulle E 0 au sein de l'échantillon [Gal<strong>la</strong>gher 2010].Quand un champ magnétique est appliqué perpendicu<strong>la</strong>irement au p<strong>la</strong>n de graphène,<strong>la</strong> quantication en orbite cyclotron se produit. La variation spatiale du potentielélectrostatique induit <strong>la</strong> formation "d'échelles de Landau" spatialement ségréguées,dont l'énergie re<strong>la</strong>tive varie les unes par rapport aux autres en fonction du dopagelocal de l'échantillon. L'énergie du niveau n = 0, E 0 , suit les variations du potentielélectrostatique [Sarma 2009]. A l'exception du niveau n = 0, l'énergie des niveauxde Landau (n > 1) va augmenter avec le champ magnétique. Lorsque ν = 2, seulle niveau n = 0 se situe encore en dessous du niveau de Fermi. La gure 4.10 (b)illustre <strong>la</strong> dépendance en champ magnétique de <strong>la</strong> densité d'états <strong>pour</strong> trois zonesarbitraires de l'échantillon qui sont respectivement : (3) dopée en électron, (2) dopéeen trous, <strong>et</strong> (1) neutre, lorsque le niveau de Fermi est à énergie nulle (0.0 sur<strong>la</strong> gure 4.10 (a) inférieure). Le niveau de Fermi est choisi de telle manière qu'àchamp magnétique nul, seul des électrons sont présents dans le système. Le champmagnétique B1 est choisi assez grand <strong>pour</strong> que tous les porteurs de charges soitdistribués dans le niveau n = 0 <strong>pour</strong> les trois zones. Trois règles nous perm<strong>et</strong>tentde prédire l'e<strong>et</strong> du champ magnétique sur ce système : (i) l'énergie des niveauxde Landau n = 0 dans les trois zones, notée E 0 sur le schéma, ne varie pas avecle champ magnétique <strong>et</strong> est seulement déterminée par le potentiel électrostatiquelocal dans l'échantillon, (ii) <strong>la</strong> dégénérescence orbitale des niveaux de Landau n = 0augmente avec B <strong>et</strong> (iii) le niveau de Fermi est uniforme sur l'échantillon. On endéduit donc que quand le champ magnétique passe de B1 à B2 (B2 > B1) , l'énergiede Fermi diminue <strong>pour</strong> accommoder l'augmentation de <strong>la</strong> densité d'états à E 0dans les trois zones. Pour les champs magnétiques assez intenses, <strong>la</strong> densité d'étatsdu niveau de Landau n = 0 de <strong>la</strong> zone (3) devient susamment importante <strong>pour</strong>accommoder l'intégralité des porteurs. L'énergie du niveau de Fermi converge doncvers le niveau n = 0 de plus basse énergie (celui de <strong>la</strong> zone (3)). L'énergie du niveaude Fermi est alors inférieure à E 0 <strong>pour</strong> les zones (1) <strong>et</strong> (2). La conséquence évidented'un tel processus est l'apparition d'états de trous au dessus du niveau de Fermidans les zones (1) <strong>et</strong> (2). Ces états de trous peuplés ont un impact direct sur l'e<strong>et</strong>Hall : les deux types de porteurs sont présents dans le système, il en découle une

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