"Création et utilisation d'atlas anatomiques numériques pour la ...

Chapitre 3Cadre experimentalSommaire3.1 Caractéristiques des échantillons . . . . . . . . . . . . . . . . 593.1.1 Préparation des échantillons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 593.1.2 Caractérisation des échantillons . . . . . . . . . . . . . . . . . 643.2 Techniques de mesure : Mesures de transport électroniquesous champs magnétiques intenses . . . . . . . . . . . . . . . 663.2.1 Production de champs magnétiques pulsés . . . . . . . . . . . 663.2.2 Mesure de transport électronique . . . . . . . . . . . . . . . . 66Ce chapitre a pour objet la présentation des procédés de fabrication de transistorsà base de graphène, ainsi que des diérentes techniques de mesures employées.De nombreuses dicultés technologiques et techniques se posent pour l'étude dugraphène en champ magnétique intense. Il y a une diculté intrinsèque à contacterélectriquement un échantillon de taille relativement réduite (quelques dizaines demicron carré pour 1nm environ d'épaisseur), déposé sur un substrat de taille macrométrique.Les nano-objets, de par leur nature nanométrique, sont très sensiblesaux décharges électrostatiques. Une fois le graphène contacté il faut donc parvenirà le préserver le temps nécessaire à la réalisation des mesures. Un dispositif particulierpermettant de s'aranchir des éventuelles décharges électrostatiques doit doncaccompagner l'échantillon à chaque étape : de la fabrication à la mesure.3.1 Caractéristiques des échantillons3.1.1 Préparation des échantillonsLes techniques de préparation des échantillons qui seront présentées ci dessoussont en grande partie inspirées des méthodes de fabrication de transistor à base denanotube développées en [Nanot 2009, Lassagne 2006]. L'intégralité de ces étapess'eectuent en salle blanche au Laboratoire d'Analyse et d'Architecture des Systèmes(LAAS) avec l'aide du personnel technique.3.1.1.1 Préparation du SubstratLes substrats utilisés sont des plaquettes de silicium fortement dopés (dégénérés)en électrons (Si n++, n ≈ 10 21 cm −3 ) de 4 pouces de diamètre. Ils présentent unerésistivité de l'ordre du mΩ/cm et restent conducteurs à très basse température,