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"Création et utilisation d'atlas anatomiques numériques pour la ...

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34 Chapitre 2. Généralités sur le transport électroniqueEn utilisant <strong>la</strong> convention usuelle perm<strong>et</strong>tant de passer d'une somation discrète àune intégrale <strong>pour</strong> un systéme 1D (via <strong>la</strong> densité d'états dans l'espace des phases)<strong>et</strong> en considérant que <strong>la</strong> dégénérescence de spin n'est pas levée (facteur 2)∑→ 2(<strong>pour</strong> le spin) × L ∫dk (2.10)2πkon obtient :I j = 2e ∫ ∞fj + h(E j)dE j . (2.11)E jOn peut étendre ces résultats à un transport par plusieurs sous bandes. On dénitalors M(E) = ∑ k H(E − E p) le nombre de sous bandes participant au transport àl'énergie E, avec H <strong>la</strong> fonction de Heavyside <strong>et</strong> E p l'énergie de coupure d'une bandep. Le courant porté par les états +k dans un conducteur décrit alors :I = ∑ jI j = 2eh∑j∫ +∞E jf + (E j )dE j = 2eh∫ +∞−∞f + (E)M(E)dE (2.12)le conducteur étant soumis à une diérence de potentiel µ 1 − µ 2 , seul les états +kcompris entre µ 1 <strong>et</strong> µ 2 participent au transport, alors f + (E) = µ 1 − µ 2 . On peutdonc calculer <strong>la</strong> résistance de contact :I = 2e2h M (µ 1 − µ 2 )⇒ G C = 2e2 M. (2.13)ehLa conductance totale d'un conducteur est directement égale au nombre demodes de conduction dans le système multiplié par le quantum de conductanceG 0 = 7.75 × 10 −5 Ω −1 .Ce formalisme peut être généralisé de manière simple au calcul de <strong>la</strong> conductancede systèmes non balistiques en introduisant un coecient de transmission T. Cecoecient correspond à <strong>la</strong> probabilité qu'un électron pénétrant par le contact degauche a d'être transmis jusqu'au contact de droite.G C = 2e2 2e2MT =h h T . (2.14)où T est <strong>la</strong> "transmission totale". T = ∑ i,j |t i,j| 2 , les coecients t i,j sont les amplitudesde probabilité qu'un électron entrant par un canal j soit transmis par uncanal i.2.1.3.1 Vers le régime diusifLe formalisme ci dessus peut être développé <strong>pour</strong> prendre en compte <strong>la</strong> présencede défauts. Le système étant unidimensionnel, les centres diuseurs peuvent êtreconsidérés en série dans le système. Chaque centre a alors un coecient de diusionT i <strong>et</strong> de réexion R i = 1 − T i . Lorsque plusieurs centres sont présents il faut prendre

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