"Création et utilisation d'atlas anatomiques numériques pour la ...

6.3. Etude de la formation des états de bords dans les nanorubans degraphène ultra étroits 133tique pour les rubans 90aGNR, avec un k B T ∗ ≈ 21±2meV . Ce qui reste consistantavec une valeur de V biais expérimentale de 50meV . On remarque également quel'accord entre la conductance expérimentale et théorique est très bonne à 80K et à50K mais commence à se dégrader à 20K, une explication possible à ce phénomèneconsiste à dire qu'à basse température le transport n'est plus dominé par l'activationthermique mais par d'autres processus de conduction comme la conduction par saut[Han 2010].Figure 6.15 (a) Symboles : magnéto-conductance mesurée au point de neutralitéde charge pour un ruban de 11nm de large, V biais = 50mV , et à plusieurs températures.Les lignes continues sont l'ajustage théorique utilisant la formule 6.12 et lavariation de la valeur du gap énergétique du nanoruban 90 − aGNR en fonction duchamp magnétique, présenté en (b). L'accord avec les résultats expérimentaux n'estconsistant que pour le 90 − aGNR. (b) Variation du gap énergétique en fonction duchamp magnétique pour trois types de aGNR 90 − 91 − 92 − aGNR.Loin du point de neutralité de charge, la magnéto-conductance mesurée est toujourspositive, et cela quelque soit la tension de grille (voir gure 6.16). Le gainen transmission est cependant modulé d'une manière complexe mais reproductiblepar le dopage électrostatique. La conductance peut aller jusqu'à doubler selon lesvaleurs de tension de grille et reste positive alors même que plusieurs sous bandessont impliquées dans la conduction. Ce comportement de la magnéto-conductanceest diérent de celui observé dans le graphène et dans les nanorubans de taille supérieures,pour lesquels une magnéto-conductance positive n'est observée qu'à trèsfaible champ et résulte de la destruction du régime de localisation faible. A titrecomparatif, la courbe de magnéto-conductance obtenue pour un ruban lithographié