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"Création et utilisation d'atlas anatomiques numériques pour la ...

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52 Chapitre 2. Généralités sur le transport électroniquede l'échantillon à l'autre, mais ce<strong>la</strong> est impossible car le recouvrement entre les fonctionsd'ondes est nul (exponentiellement faible), de plus aucun état n'est disponibleà l'intérieur du conducteur (voir gure 2.15). En l'absence de rétro diusions, lesélectrons provenant de <strong>la</strong> droite sont transmis vers le contact de gauche de manièrebalistique <strong>et</strong> restent donc au potentiel du contact. La diérence de potentiel entredeux points situés du même coté de l'échantillon est donc nulle, alors que <strong>la</strong> différencede potentiel entre deux points situés de part <strong>et</strong> d'autre de l'échantillon estégale à eV H = (µ 1 −µ 2 ). Ce<strong>la</strong> n'est vrai que lorsque le niveau de Fermi se situe entre2 niveaux de Landau. En e<strong>et</strong> quand le niveau de Fermi est à <strong>la</strong> même énergie qu'unniveau de Landau, il existe des états disponibles au centre de l'échantillon qui autorisentle passage des électrons d'un bord à l'autre. La rétro diusion ainsi rétabliese traduit par une augmentation de <strong>la</strong> résistance longitudinale vers un maximum.Celle-ci va r<strong>et</strong>omber progressivement à zéro quand le niveau de Landau <strong>et</strong> le niveaude Fermi s'éloignent à nouveau à mesure que le champ magnétique augmente, ouque l'énergie du niveau de Fermi varie quand <strong>la</strong> densité de porteur est modiée parl'application d'un potentiel de grille. On obtient ainsi une résistance longitudinalequi va osciller (oscil<strong>la</strong>tions de Shubnikov-deHass)(voir gure 2.16). Dans le régimed'e<strong>et</strong> Hall quantique le calcul de <strong>la</strong> résistance transverse passe par le calcul ducourant circu<strong>la</strong>nt d'un contact à l'autre. En utilisant l'équation 2.13 on peut écrire :I = ge2h M(µ 1 − µ 2 ) (2.38)où M est le nombre d'états de bords que croise le niveau de Fermi <strong>et</strong> g <strong>la</strong> dégénérescencede chaque état. On peut alors écrire :R L = V LI = 0 R H = V hI =hge 2 M(2.39)Ce<strong>la</strong> signie que <strong>la</strong> résistance de Hall est quantiée <strong>et</strong> qu'à chaque fois qu'un niveaude Landau passe au-delà du niveau de Fermi <strong>la</strong> résistance augmente. On dénitν = gM le facteur de remplissage, qui indique le nombre de niveau de Landau situéssous le niveau de Fermi.La gure 2.16 montre un exemple de mesure de magnéto-transport dans ungaz bi-dimensionnel. C<strong>et</strong>te expérience est réalisée à densité de porteurs constanteen ba<strong>la</strong>yant le champ magnétique de 0 à 6T. La résistance longitudinale indexéeR XX sur <strong>la</strong> gure montre bien le caractère oscil<strong>la</strong>nt prédit. A densité de porteursconstante <strong>et</strong> <strong>pour</strong> de grands nombres quantiques, ces oscil<strong>la</strong>tions sont périodiquesen 1/B (voir insert gure 2.16) avec une période P (T −1 ) :P = 2e(2.40)nhAu-delà de 2 Tes<strong>la</strong>, les minima de <strong>la</strong> magnéto-résistance longitudinale ont une résistancenulle, <strong>la</strong> rétro diusion entre les états de bords est alors inexistante. Bienqu'en théorie <strong>la</strong> densité d'états des niveaux de Landau soit une fonction de Dirac,en pratique, <strong>la</strong> diusion sur des défauts entraîne un é<strong>la</strong>rgissement de ces niveaux.

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