"Création et utilisation d'atlas anatomiques numériques pour la ...
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142Chapitre 6. Etude de <strong>la</strong> formation des états de bords dans lesnanorubans de graphèneles bords de l'échantillon, a permis de sonder <strong>la</strong> géométrie des bords. En e<strong>et</strong>, nousavons <strong>pour</strong> <strong>la</strong> première fois mis en évidence <strong>la</strong> levée de dégénérescence de vallée,liée à <strong>la</strong> conguration armchair des bords dans un nanoruban. Dans des nanorubansde taille plus réduite, de 10 à 30nm, les e<strong>et</strong>s du connement uni-dimensionneldeviennent importants. La présence d'accidents sur <strong>la</strong> mesure de conductance enfonction de <strong>la</strong> tension de grille, liée à l'augmentation de <strong>la</strong> densité d'états en basde bande, a permis de déterminer <strong>la</strong> conguration atomique des bords ainsi que <strong>la</strong><strong>la</strong>rgeur du ruban. Au point de neutralité de charge, une forte augmentation de <strong>la</strong>conductance en champ magnétique, démontre <strong>la</strong> formation progressive du niveaude Landau n = 0 entraînant une ferm<strong>et</strong>ure du gap. Loin du point de neutralité decharge, une magnéto-conductance positive quelle que soit <strong>la</strong> tension de grille a étémesurée. Celle-ci révèle <strong>la</strong> formation progressive des états de bords magnétiques.Une étude théorique a montré que ces états de bords chiraux restent couplés les unsaux autres en raison de <strong>la</strong> coexistence de désordre de bords <strong>et</strong> d'impur<strong>et</strong>és chargéesau sein de l'échantillon.Pour nir, il faut noter que l'étude des propriétés du graphène <strong>et</strong> des matériauxà base de graphène est un domaine très compétitif. Ce travail, grâce à de l'<strong>utilisation</strong>de champ magnétique intense <strong>et</strong> de <strong>la</strong> conception d'échantillons de bonne qualité anéamoins permis, d'apporter des éc<strong>la</strong>ircissements dans ce domaine complexe.