"Création et utilisation d'atlas anatomiques numériques pour la ...

5.1. Eet Hall quantique entier dans le graphène tri-couche 91Après déposition des contacts de Ti(5nm)/Au(40nm) par évaporation et gravureen barre de Hall, l'échantillon a été recuit à plusieurs reprises. Du fait des faiblesmobilités observées dans le graphène tri-couche, cette étape est indispensable. Lagure 5.2 montre le prol des courbes R(V g ) après les recuits successifs sous videet sous atmosphère d'Hélium à 410K. On voit que le point de neutralité de charge(CNP) est atteint pour V CNP = −13.8V , indiquant la présence d'un dopage de typen résiduel. Au CNP la densité de porteurs résiduel est estimée à n 0 = 8.5×10 11 cm −2 .Si on compare cette valeur avec celle obtenue dans l'échantillon de graphène S1présenté dans le chapitre 4, on remarque que bien que la valeur de V CNP soit plusfaible dans le cas du tri-couche, le nombre de porteurs résiduels est plus important.Ceci souligne une fois de plus la diculté à obtenir des échantillons intrinsèques degraphène tri-couche malgré des étapes de recuit successif. Les mobilités des porteursextraites de la caractéristique R(V g ) sont µ e = 1300±100cm 2 /V.s pour les électronset µ h = 900 ± 300cm 2 /V.s pour les trous.Figure 5.2 (a) Marques circulaires : résistance longitudinale en fonction de laconcentration en porteur, à T=4.2K. Ligne continue : ajustement théorique utilisantle modèle développé en [Kim 2009] duquel les valeurs n 0 et µ ont été déduites.5.1.2 Eet Hall et détermination de l'empilement5.1.2.1 Conrmation de la nature tri-couche de l'échantillonLa gure 5.3 (a) montre le prol de la résistance de Hall mesuré dans l'échantillon,en parallèle avec la résistance de Hall obtenue expérimentalement pour unéchantillon de graphène et un échantillon bi-couche. Les densités de porteurs pourles trois échantillons sont comparables, en eet les pentes de l'eet Hall classique àbas champ sont quasiment identiques. L'insert de la gure 5.3 (a) est une représen-