Facoltà di Ingegneria - Udu Lecce

• Tecnologie di crescita di monocristalli di volume di materiali semiconduttori ore: 7
Metodi di crescita dal fuso: introduzione generale.
I metodi Czhocralski e LEC. Applicazione alla crescita di Si, GaAs, InP
Il metodo Bridgman. Applicazione alla crescita di GaAs e CdTe
Metodo Vertical Gradient Freeze (VGF). Applicazione alla crescita di GaAs e InP.
Modellizzazione della crescita dal fuso. Fluidodinamica della fase liquida (processi di
trasporto di massa e di calore). Effetti della cinetica nella crescita dal fuso.
Instabilità morfologica e di forma: origine e metodiche di controllo.
Incorporazione di impurezze intenzionali (drogaggio) nella crescita dal fuso. Coefficienti
di segregazione e solubilità. Applicazione al caso di Si, GaAs e InP
• Epitassia dei semiconduttori ore: 3
Definizione di epitassia. Omo- ed etero-epitassia di semiconduttori. Applicazioni:
l'epitassia dei s.c. per la micro- e l'opto-elettronica.
Esempi: dispositivi per elettronica (Si, SiGe) ed optoelettronica (III-V e II-VI). Cenni sulle
principali architetture per la realizzazione di diodi e diodi laser mediante eterostrutture
epitassiali a s.c. Dispositivi a confinamento quantistico (cenni): eterostrutture a superreticolo
ed a buca quantica multipla (MQWs). Confinamento ottico e microcavità per
dispositivi laser ad eterostruttura. Specifiche di realizzazione e requisiti per l'epitassia.
• Aspetti strutturali dell'epitassia ore: 5
Problematiche strutturali dell'etero-epitassia. Disadattamento reticolare e termico.
Deformazioni elastiche e rilassamento plastico nelle eterostrutture a semiconduttore.
Formazione e propagazione di dislocazioni: teorie e modelli del rilassamento plastico
nelle eterostrutture a s.c.
Effetto dello strain e delle dislocazioni sui dispositivi (cenni).
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