Facoltà di Ingegneria - Udu Lecce

• Tecnologie di crescita epitassiale ore: 8
Epitassia da fase liquida (LPE). Principi del metodo ed apparato sperimentale.
Applicazione alla epitassia del GaAs, del CdTe e dello HgCdTe.
Epitassia da fascio molecolare (MBE). Principi del metodo e tecnologia MBE.
Tecniche di analisi in-situ dei sistemi MBE (cenni).
Applicazioni alla epitassia dei composti semiconduttori III-V.
Epitassia da fase vapore (VPE). Principi generali del metodo. Termodinamica del
processo VPE.
Meccanismi fondamentali del processo VPE e regimi di crescita. Regimi di trasporto di
massa (convettivo e diffusivo). Cinetica delle reazioni.
Fluidodinamica dei reattori VPE e teoria cinetica di non-equilibrio nella modellizzazione
dei processi di trasporto. Esempi di applicazione all'epitassia dei semiconduttori.
I metodi VPE-idruri e -cloruri. Applicazioni della VPE alla epitassia di Si e III-V. Metodi di
drogaggio. Vantaggi e limiti di applicazione della VPE-idruri e -cloruri.
Il metodo VPE da composti metallorganici (MOVPE). Principi del metodo.
I precursori metallorganici per l'epitassia dei composti III-V e II-VI. Precursori per il
drogaggio. Meccanismi di reazione tra precursori metallorganici.
Caratteristiche tecnologiche dei reattori MOVPE.
Applicazioni della MOVPE alla epitassia dei composti III-V e II-VI. Esempi di
eterostrutture epitassiali per optoelettronica realizzabili con MOVPE.
Cenni sulle metodiche epitassiali ibride: GSMBE, MOMBE, CBE.
Laboratorio
• Crescita epitassiale di strati planari ed eterostrutture a s.c. ore: 5
Esperienza guidata sulla crescita epitassiale di strutture planari a s.c. mediante
tecnologia MOVPE
• Caratterizzazione con metodiche fisiche di strutture epitassiali ore: 5
Esperienza guidata sulla caratterizzazione fisica di strutture epitassiali mediante
diffrazione-X, fotoluminescenza e microscopia elettronica a scansione
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