Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...

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Ein ganz besonderer und großer Dank gilt meinen Eltern Edeltraud und Helmut Voßen, die mich während meines gesamten Studiums in jeder nur erdenklichen Weise unterstützt haben, die mir in schweren Zeiten immer zur Seite standen und ohne die diese Arbeit nicht existieren würde. Ein großer Dank geht zuletzt an meinen Freund Ulrich Hagemann, der immer großes Ver- trauen in mich gesetzt hat und mit viel Verständnis und Liebe mein Leben um so vieles schöner und einfacher macht.
Hiermit versichere ich, dass ich die Arbeit selbstständig verfasst, Zitate kenntlich gemacht und keine anderen als die angegebenen Quellen und Hilfsmittel benutzt habe. Duisburg, den 12. Februar 2009
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Steuerbare Gleichrichtung in Halble
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Abstract In this work a voltage-tun
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Inhaltsverzeichnis 5. Experimentell
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1. Einleitung und Motivation weglic
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2. Grundlagen Dieses Kapitel behand
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Gate 2.2. Realisierung eines zweidi
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2.3. Elektronische Eigenschaften ei
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2.4. Gleichrichter in zweidimension
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3. Proben 3.1. Probenmaterial Die i
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Seiten- Gate Source Drain a) c) d M
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3.3. Probenpräparation 3.3. Proben
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3.3. Probenpräparation gewährleis
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3.3.7. Erste Charakterisierung 3.3.
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4. Messmethoden Um dies zu realisie
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4. Messmethoden 4.2.2. Frequenzabh
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5. Experimentelle Ergebnisse und Di
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Seite 52 und 53: 5. Experimentelle Ergebnisse und Di
Seite 86 und 87: 6. Zusammenfassung VG variiert wurd
Seite 88 und 89: 7. Ausblick niertes Potential mehr,
Seite 90 und 91: A. Parameter der Probenpräparation
Seite 93: B. Wachstumsprotokolle B.1. Probenm
Seite 96 und 97: C. Magnetfeldmessungen Reziprokes M
Seite 98 und 99: Literaturverzeichnis 92 [11] Ando,
Seite 100 und 101: Literaturverzeichnis 94 [35] Ashcro
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