Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...

V SD > 0 V
V SD = 0 V
V SD < 0 V
V = -1 V
a1) G
a2) G
a3)
+
-1 V -1 V
0 V
V = -1 V
b1) G
b2) G
b3)
0 V
-1 V -1 V
0 V
V = -1 V
V = 0 V
V = 0 V
V = 0 V
c1) G
c2) G
c3)
-
-1 V -1 V
0 V
0 V 0 V
0 V
0 V
0 V 0 V
0 V
-
0 V 0 V
0 V
5.3. Steuerbarer Gleichrichter
V G = +1 V
+
+ 1 V + 1 V
0 V
V = +1 V
G
0 V
+ 1 V + 1 V
0 V
V = +1 V
G
-
+ 1 V + 1 V
Abbildung 5.14.: Schematische Darstellung der Verarmungszonen im Kanalbereich für klei-
+
ne Source-Drain-Spannungen VSD. Jede Zeile zeigt den Zustand des Ka-
nals für unterschiedliche Seiten-Gate-Spannungen VG mit jeweils konstan-
ter Source-Drain-Spannung VSD.
0 V
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