Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...
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4. Messmethoden<br />
4.2.2. Frequenzabhängigkeit des Gleichrichters<br />
Die Bestimmung der Frequenzabhängigkeit des gleichrichtenden Verhaltens der Proben<br />
wird durch den Messaufbau <strong>in</strong> Abbildung 4.3 realisiert. Hierzu wird statt der SMU e<strong>in</strong><br />
Frequenzgenerator (max. 25 MHz) e<strong>in</strong>gesetzt. Zur Detektion des Ausgangssignals wird mit<br />
e<strong>in</strong>em Oszilloskop (max. 200 sMHz) der Spannungsabfall über e<strong>in</strong>en Widerstand von 9,97<br />
kΩ gemessen. Die Seiten-Gates werden wiederum an die steuerbare Spannungsquelle Yo-<br />
kogawa 7651 angeschlossen.<br />
Frequenz-<br />
Generator<br />
High Low<br />
Spannungs-<br />
Quelle<br />
High Low<br />
R<br />
Oszilloskop<br />
High Low<br />
Abbildung 4.3.: Messaufbau zur Untersuchung der Frequenzabhängigkeit der Gleichrich-<br />
32<br />
tung. Die Spannungsquelle versorgt die Seiten-Gates mit der Spannung<br />
VG. Der Frequenzgenerator gibt die Spannung VSD aus und das Oszillo-<br />
skop liest den Spannungsabfall VA über den Widerstand R aus.
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