Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...

5. Experimentelle Ergebnisse und Diskussion
5.4. Interpretation der Sperrung im negativen
Spannungsintervall
Für den Anstieg des differentiellen Widerstandes im negativen Source-Drain-Spannungs-
bereich (siehe Abbildung 5.9 Punkt BC und CD) werden durch Messungen mit Proben-
strukturen, in denen die Asymmetrie und somit der „self-switching effect“ unterdrückt wird,
mögliche Erklärungen gegeben.
2DEG-Kanal
Abbildung 5.19 zeigt eine ISD(VSD)-Kennlinie der Probe IV für eine Source-Drain-Span-
nung von VSD = −1,0 V bis VSD = +1,0 V. Diese Probe besitzt keine 2DEG-Flächen
neben den geätzten Gräben, die den Kanal eingrenzen, jedoch ist die ursprüngliche Struk-
tur der planaren Diode ohne Seiten-Gates weiterhin zu erkennen (kleine Skizze in Abb.
5.19). Da es sich also lediglich um einen 2DEG-Kanal ohne „self-switching effect“ han-
Strom I (µA)
SD
40
30
20
10
0
-10
-20
-30
B2
dR B2 = 156 kΩ
dR A = 3 kΩ
A B1
-1,0 -0,5 0,0 0,5 1,0
Spannung V (V) SD
Spannung (V)
dR B1 = 149 kΩ
Abbildung 5.19.: ISD(VSD)-Kennlinienverlauf der Probe IV im Source-Drain-
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Source
Spannungsintervall von VSD = −1,0 V bis VSD = +1,0 V. Sie
besitzt keine 2DEG-Fläche neben den geätzten Gräben, die den Kanal
eingrenzen.
Drain