Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...

5. Experimentelle Ergebnisse und Diskussion
5.6.2. Gleichrichtung bei verschiedenen Seiten-Gate-Spannungen
Neben unterschiedlichen Eingangssignalen VSD mit der Frequenz f kann mit der Seiten-
Gate-Spannung VG ein weiterer Parameter variiert werden, um die Durchstimmbarkeit des
gleichrichtenden Verhaltens in der Frequenzabhängigkeit zu bestimmen. Im Folgenden wer-
den der geerdete Fall und die Seiten-Gate-Spannungen VG = −0,1 V, VG = −0,5 V und
VG = −0,9 V bei einem Sinus-förmigen Eingangssignal und einer Frequenz von f = 1 kHz
untersucht. Aus Abbildung 5.16 in Abschnitt 5.3.3 wurde deutlich, dass mit größerer ne-
Spannung (V)
Eingangs-Spannung V (V)
SD
1
0
-1
1
0
-1
1
0
-1
2
1
0
0 1 2 3
a)
b)
c)
d)
- 0,1 V
- 0,5 V
-1
- 0,9 V
-20
-2
-40
0 1
Perioden
Perioden
2 3
Abbildung 5.28.: Gleichrichtendes Verhalten der Diode (Probe I) bei angelegter Sinus-
76
0,0 V
Spannung VSD von f = 1 kHz für die Seiten-Gate-Spannungen VG =
0 V (geerdeter Fall) (a), VG = −0,1 V (b), VG = −0,5 V (c) und
VG = −0,9 V (d). Die Eingangs-Spannung VSD (schwarz), der Ausgangs-
Strom ISD (rot) und die Nulllinie (grün gepunktet) sind über die Periode
aufgetragen.
20
0
-20
20
0
-20
20
0
-20
40
20
0
Ausgangs-Strom I SD (µA)