Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...
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5. Experimentelle Ergebnisse und Diskussion<br />
derstände wie z. B. Kontaktwiderstände der Probe R0 und der Widerstand des restlichen<br />
2DEGs R1 existieren, ergibt sich unter der Annahme e<strong>in</strong>er seriellen Schaltung folgender<br />
Zusammenhang:<br />
RSD = RKanal + R0 + R1. (5.3)<br />
Dabei wird angenommen, dass der Widerstand R0 + R1 annähernd l<strong>in</strong>ear vom Magnetfeld<br />
abhängig ist, woh<strong>in</strong>gegen der Widerstand RKanal e<strong>in</strong>e komplexere Abhängigkeit besitzt.<br />
Deshalb wird von den gemessenen Werten der konstant ansteigende Widerstand (grüne<br />
Gerade 3 <strong>in</strong> Abbildung 5.3) abgezogen und man erhält als Differenz den Widerstands-Anteil<br />
RKanal. Dieser Anteil ist im Folgenden relevant.<br />
Laut Thornton et al. [43] wird der Widerstand RKanal maximal, wenn die geometrische<br />
Kanalbreite kT hornton folgenden Bezug zum Zyklotronradius besitzt:<br />
Daraus ergibt sich mit dem Zyklotronradius RC =<br />
kT hornton = 0,55 · RC. (5.4)<br />
kF<br />
e B an der Stelle B = Bmax des lokalen<br />
Widerstandsmaxima und dem Fermiwellenvektor kF = √ 2πn folgenden Beziehung:<br />
kT hornton = 0,55 · √ 2πn<br />
. (5.5)<br />
Bmax e<br />
Der Faktor 0,55 ist e<strong>in</strong> empirisches Maß, das die elektronische Größe RC, der Zyklotron-<br />
radius, mit der geometrischen Kanalbreite kT hornton identifiziert.<br />
In unserem Fall ergibt sich aus der Abbildung 5.3 e<strong>in</strong> Magnetfeld Bmax = 0,116 T. Daraus<br />
folgt mit Gleichung (5.5) und der Ladungsträgerdichte n = 2,77 · 10 11 cm −2 e<strong>in</strong>e Kanal-<br />
breite von kT hornton = 411 nm. Berücksichtigt man die Fehlerfortplanzung durch die Werte<br />
der Ladungsträgerdichte n mit ∆sn = 0,04 · 10 11 cm −2 und der Ableseungenauigkeit bei<br />
der Bestimmung des Magnetfeldes B mit ∆sB = 0,003 T, so ergibt sich e<strong>in</strong>e Unsicherheit<br />
für die Kanalbreite kT hornton von ∆sk = 14 nm.<br />
Dies wird mit der durch die Lithographie def<strong>in</strong>ierten und mittels REM ausgemessenen<br />
Kanalbreite (siehe Tabelle 3.1 Probe I) von k = 430 nm verglichen. Ihre Größengenauig-<br />
keit wird weniger durch das Auflösungsvermögen des REMs (2 nm) vorgegeben, sondern<br />
vielmehr durch e<strong>in</strong>e Kantenrauigkeit des Kanals von m<strong>in</strong>destens ∆sk = 10 nm bestimmt.<br />
Aufgrund dieser Abschätzungen kann davon ausgegangen werden, dass die mittels REM<br />
bestimmten Kanalgrößen e<strong>in</strong>e sehr gute Näherung der nach Gleichung (5.5) bestimmten<br />
Kanalgrößen s<strong>in</strong>d.<br />
3 Gerade durch die Punkte RSD(B = 0) und RSD(B = Wendepunkt).<br />
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