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Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...

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5. Experimentelle Ergebnisse und Diskussion<br />

derstände wie z. B. Kontaktwiderstände der Probe R0 und der Widerstand des restlichen<br />

2DEGs R1 existieren, ergibt sich unter der Annahme e<strong>in</strong>er seriellen Schaltung folgender<br />

Zusammenhang:<br />

RSD = RKanal + R0 + R1. (5.3)<br />

Dabei wird angenommen, dass der Widerstand R0 + R1 annähernd l<strong>in</strong>ear vom Magnetfeld<br />

abhängig ist, woh<strong>in</strong>gegen der Widerstand RKanal e<strong>in</strong>e komplexere Abhängigkeit besitzt.<br />

Deshalb wird von den gemessenen Werten der konstant ansteigende Widerstand (grüne<br />

Gerade 3 <strong>in</strong> Abbildung 5.3) abgezogen und man erhält als Differenz den Widerstands-Anteil<br />

RKanal. Dieser Anteil ist im Folgenden relevant.<br />

Laut Thornton et al. [43] wird der Widerstand RKanal maximal, wenn die geometrische<br />

Kanalbreite kT hornton folgenden Bezug zum Zyklotronradius besitzt:<br />

Daraus ergibt sich mit dem Zyklotronradius RC =<br />

kT hornton = 0,55 · RC. (5.4)<br />

kF<br />

e B an der Stelle B = Bmax des lokalen<br />

Widerstandsmaxima und dem Fermiwellenvektor kF = √ 2πn folgenden Beziehung:<br />

kT hornton = 0,55 · √ 2πn<br />

. (5.5)<br />

Bmax e<br />

Der Faktor 0,55 ist e<strong>in</strong> empirisches Maß, das die elektronische Größe RC, der Zyklotron-<br />

radius, mit der geometrischen Kanalbreite kT hornton identifiziert.<br />

In unserem Fall ergibt sich aus der Abbildung 5.3 e<strong>in</strong> Magnetfeld Bmax = 0,116 T. Daraus<br />

folgt mit Gleichung (5.5) und der Ladungsträgerdichte n = 2,77 · 10 11 cm −2 e<strong>in</strong>e Kanal-<br />

breite von kT hornton = 411 nm. Berücksichtigt man die Fehlerfortplanzung durch die Werte<br />

der Ladungsträgerdichte n mit ∆sn = 0,04 · 10 11 cm −2 und der Ableseungenauigkeit bei<br />

der Bestimmung des Magnetfeldes B mit ∆sB = 0,003 T, so ergibt sich e<strong>in</strong>e Unsicherheit<br />

für die Kanalbreite kT hornton von ∆sk = 14 nm.<br />

Dies wird mit der durch die Lithographie def<strong>in</strong>ierten und mittels REM ausgemessenen<br />

Kanalbreite (siehe Tabelle 3.1 Probe I) von k = 430 nm verglichen. Ihre Größengenauig-<br />

keit wird weniger durch das Auflösungsvermögen des REMs (2 nm) vorgegeben, sondern<br />

vielmehr durch e<strong>in</strong>e Kantenrauigkeit des Kanals von m<strong>in</strong>destens ∆sk = 10 nm bestimmt.<br />

Aufgrund dieser Abschätzungen kann davon ausgegangen werden, dass die mittels REM<br />

bestimmten Kanalgrößen e<strong>in</strong>e sehr gute Näherung der nach Gleichung (5.5) bestimmten<br />

Kanalgrößen s<strong>in</strong>d.<br />

3 Gerade durch die Punkte RSD(B = 0) und RSD(B = Wendepunkt).<br />

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