Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...
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7. Ausblick<br />
niertes Potential mehr, da der Stromfluss und der Spannungsabfall nicht mehr nur über<br />
den Kanal, sondern auch über die Flächen der Seiten-Gates möglich ist. Es besteht ke<strong>in</strong><br />
Anhaltspunkt, dass die Sperrungen auf die Modulation der Verarmungszonen zurück zu<br />
führen s<strong>in</strong>d.<br />
Auch hier würde e<strong>in</strong>e nasschemisch geätzte Probe diese Vermutungen bestätigen können.<br />
Untersuchungen des ISD(VSD)-Verhaltens könnten zeigen, ob die Anstiege des differenti-<br />
ellen Widerstandes möglicherweise ausbleiben oder ob sich neue Abhängigkeiten von der<br />
Source-Dra<strong>in</strong>-Spannung, der Seiten-Gate-Spannung und ihrer Differenz ergeben.<br />
Außerdem sollte die Herstellung kle<strong>in</strong>erer 2DEG-Kanalbreiten angestrebt werden, da so e<strong>in</strong><br />
e<strong>in</strong>stellbarer Gleichrichter geschaffen werden könnte, der ohne oder sogar mit positiver an-<br />
gelegter Seiten-Gate-Spannung e<strong>in</strong>en verschlossenen Kanal besitzt. Somit wäre die Durch-<br />
stimmbarkeit der Schwellspannung über noch größere Bereiche der Seiten-Gate-Spannung<br />
möglich.<br />
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