Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...

5. Experimentelle Ergebnisse und Diskussion
in Abbildung 5.16. Betrachtet man nur die absoluten Source-Drain-Spannungen so besteht
noch kein direkter Zusammenhang. Betrachtet man aber stattdessen die Potentialdifferenz
zwischen Source-Drain-Spannung VSD und Seiten-Gates-Spannung VG so zeigt sich eine
konstante Potentialdifferenz der Form Vdiff = VSD − VG = const. ≈ −2,5 V. Dies bestärkt
auch erneut den linearen Zusammenhang mit m ≈ 1 (siehe Gl. (5.6)) zwischen Source-
Drain-Spannung bzw. Schwellspannung und Seiten-Gate-Spannung, d. h. eine Erhöhung
von VSD führt unter gleicher Erhöhung von VG zu gleichwertigen Zuständen im Kanal.
Durch auftretende Leckströme, die ab Vdiff ≈ −2,5 V einsetzen, besitzen die Seiten-Gates
keine eindeutig definierten Potentiale mehr. Neben der Leitung durch den Kanal, kann es
nun zusätzlich zu parallelem Stromfluss und Spannungsabfall über die Seitenflächen der
Seiten-Gates kommen, so dass auch die Source- und Drain-Potentiale nicht mehr eindeu-
tig definiert sind. Die Kennlinie in Abbildung 5.20, bei welcher die Seiten-Gate-Spannung
VG = VSD
2 beträgt, zeigt in Bereichen hoher Source-Drain-Spannungen VSD ein sehr ähnlichen
Verhalten wie die Kennlinien aus Abbildung 5.13. Der zweite Anstieg des differentiel-
len Widerstandes weist eine Potentialdifferenz in der selben Größenordnung von ungefähr
Vdiff ≈ −2,0 V auf. Außerdem liegen die differentiellen Widerstände selbst alle in der glei-
chen Größenordnung von dRD ≈ 1 MΩ und die Maximalströme sind mit ca. ID = 30 µA
bis ID = 33 µA gut vergleichbar.
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