Steuerbare Gleichrichtung in Halbleiter-Nanostrukturen - Universität ...

5. Experimentelle Ergebnisse und Diskussion
Schwell-Spannung Schwellwert - Spannung V V (V) (V)
Schwell Schwell
0,1
0,0
-0,1
-0,2
-0,3
-0,4
-0,5
-0,6
-0,7
-0,8
Regressions-Geradengleichung:
V Schwell (V G ) = m V G + n
m = 0,79
n = 0,02 V
-0,9
-1,1 -1,0 -0,9 -0,8 -0,7 -0,6 -0,5 -0,4 -0,3 -0,2 -0,1 0,0 0,1
Seiten Seiten-Gate-Spannung - Gate - Spannung V V(V) (V) G
Abbildung 5.30.: Schwellwert-Spannung VSchwell über Seiten-Gate-Spannungen für VG =
−1 V bis VG = −0 V.
Für eine genauere Betrachtung des Schwellwertverhaltens in Abhängigkeit der Seiten-Gate-
Spannung VG dient Abbildung 5.29. Sie zeigt den aufgetragenen Ausgangsstrom ISD für
eine negative Halbwelle. Es sind deutlich die unterschiedlichen Periodenzeitpunkte und
somit die unterschiedlichen Spannungswerte der Öffnung der Diode zu erkennen. Werden
diese Werte mit der zugehörigen Eingangsspannung VSD = VSchwell identifiziert, so kann
die Schwell-Spannung VSchwell als Funktion der Seiten-Gate Spannung VG aufgetragen
werden (Abbildung 5.30). Zwischen den Messpunkten besteht in guter Näherung mit einer
Unsicherheit von 5 % in der Steigung eine lineare Abhängigkeit:
G
VSchwell (VG) = 0,79 · VG + 0,02V. (5.8)
Unter frequenzabhängigen Eingangssignalen VSD zeigt der Gleichrichter somit ebenfalls sei-
ne Durchstimmbarkeit für Schwellwerte von VSchwell = −0,78 V bis nahezu VSchwell = 0 V
bei Seiten-Gate-Spannungen zwischen VG = −1,0 V und VG = 0 V.
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